- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
HUF75332P3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 60A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
145Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75345G3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
325Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
275нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75542P3
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 75 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
HUF75545S3ST
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
270Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
235нКл
Входная емкость:
3750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75631S3ST
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 33 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263 (D2Pak)
HUF75639P3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75639S3ST
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75645P3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
238нКл
Входная емкость:
3790пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75645S3ST
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
238нКл
Входная емкость:
3790пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75652G3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
515Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
475нКл
Входная емкость:
7585пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF76439S3ST
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 75 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
HUF76609D3ST
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
49Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
425пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF76639S3ST
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 51A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
51А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
HUFA76429D3ST_F085
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
IRFS450B
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
9.6A
Сопротивление открытого канала:
390 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
113нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFS630B
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А, 35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Акция
IRFS644A
Транзистор полевой N-канальный 250В 7.9А 43Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
MCH3475-TL-E
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-MCPH
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
2нКл
Входная емкость:
88пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±12В
Заряд затвора:
1.7нКл
Входная емкость:
130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара