- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
NDFPD1N150CG
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 100MA TO220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
1500В (1.5kВ)
Ток стока макс.:
100мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
150 Ом @ 50mА, 10В
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
4.2нКл @ 10В
Входная емкость:
80пФ @ 30В
Тип монтажа:
Through Hole
NDP6020P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDP7060
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
115нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDS351AN
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
1.8нКл
Входная емкость:
145пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS351N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
3.5нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS352AP
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 900мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
3нКл
Входная емкость:
135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS355N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
245пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS356AP
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
4.4нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS8425
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1098пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS9407
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
732пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDT014
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDT454P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDT456P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDUL03N150CG
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(L)
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
10.5 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NID9N05ACLT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 52В 9A LL DPAK-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
52В
Ток стока макс.:
9A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
90 мОм @ 9А, 12В
Мощность макс.:
1.74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 100 µA
Заряд затвора:
7нКл @ 4.5В
Входная емкость:
250пФ @ 40В
Тип монтажа:
Surface Mount
NTA4151PT1G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 760мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
760мА
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
301мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
450mВ
Заряд затвора:
2.1нКл
Входная емкость:
156пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTB35N15T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 37 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
NTB45N06LT4G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 45 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
NTB45N06T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 45 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
NTB5605PT4G
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 18.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара