- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
NTB60N06T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 60 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
NTB6410ANT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 76A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
76А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD110N02RT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 12.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
24В
Ток стока макс.:
12.5A
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
3440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD14N03RT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
1.04Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
1.8нКл
Входная емкость:
115пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD20N03L27T4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
1.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
18.9нКл
Входная емкость:
1260пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD24N06LT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
1.36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD2955-1G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NTD3055L104-1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
104 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NTD4804NT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14.5A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
1.43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
4490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD4809NT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.6A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1456пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD4858NT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 11.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
11.2A
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
19.2нКл
Входная емкость:
1563пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD4969NT4G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 41 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
NTD5802NT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 16.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
16.4A
Сопротивление открытого канала:
4.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
5025пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD5862NT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 98A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
98A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
82нКл
Входная емкость:
6000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD5867NLT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
675пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара