Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
NTMFS6H801NT1G
Производитель:
ON Semiconductor
NTMFSC004N08MC NTMFSC004N08MC MOSFET, N-CH, 80V, 136A, DFN;
Производитель:
ON Semiconductor
NTMS4801NR2G NTMS4801NR2G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
2201пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTMS5P02R2G NTMS5P02R2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.95A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.95A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
790мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.25В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTMS7N03R2G NTMS7N03R2G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 4.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
NTMT045N065SC1 MOSFET Module Configuration:-; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. of Pins:4Pins; Rds(on) Test Voltage:18V; Gate Source Threshold Voltage Max:4. 57AK6421
Производитель:
ON Semiconductor
NTNS3A65PZT5G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 235мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
281мА
Сопротивление открытого канала:
1.3 Ом
Мощность макс.:
155мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
44пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTNS3A91PZT5G NTNS3A91PZT5G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 223мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-XLLGA (0.62x0.62)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
223мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
121мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
41пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTNUS3171PZT5G NTNUS3171PZT5G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 200мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-1123
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
125мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
13пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTP5860NG MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
NTPF095N65S3H NTPF095N65S3H MOSFET, N-CH, 650V, 30A, TO-220FP;
Производитель:
ON Semiconductor
NTR2101PT1G NTR2101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 3.7А 0.96Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
Ток стока макс.:
3.7А
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
960мВт
Тип транзистора:
P-канальный
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
1173пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTR3A30PZT1G NTR3A30PZT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
38 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.6нКл
Входная емкость:
1651пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTR5198NL NTR5198NL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.2A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.2А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
29 194 шт
Цена от:
от 5,58
NTR5198NLT3G NTR5198NLT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.2A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.2А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
29 194 шт
Цена от:
от 5,58
NTTFS4821NTAG NTTFS4821NTAG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
660мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1755пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTTFS4824NTAG NTTFS4824NTAG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
660мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
2363пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTTFS4932NTAG NTTFS4932NTAG Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
NTTFS4C02NTAG NTTFS4C02NTAG MOSFET, N-CH, 30V, 170A, WDFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:170A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Po
Производитель:
ON Semiconductor
NTTFS5820NLTAG NTTFS5820NLTAG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 37A 8DFN
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
37А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: