Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
NVMJS3D0N06CTWG NVMJS3D0N06CTWG MOSFET, N-CH, 60V, 139.3A, LFPAK;
Производитель:
ON Semiconductor
NVMJST2D6N08HTXG 80V 131.5A 2.8m?@10V,50A 2V One N-channel LFPAK-10(7.5x5) Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
ON Semiconductor
NVMTS001N06CTXG NVMTS001N06CTXG MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 376A, DFNW; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:376A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.00077ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg
Производитель:
ON Semiconductor
NVMTS0D4N04CLTXG NVMTS0D4N04CLTXG MOSFET, AECQ101, N-CH, 40V, 553.8A, 244W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:553.8A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Производитель:
ON Semiconductor
NVMTS0D6N04CLTXG NVMTS0D6N04CLTXG N-Channel 40V 78.9A 5W Surface Mount DFNW-8
Производитель:
ON Semiconductor
NVMTS1D2N08H NVMTS1D2N08H MOSFET'S - SINGLE;
Производитель:
ON Semiconductor
NVMTS1D6N10MCTXG N-Channel MOSFET
Производитель:
ON Semiconductor
NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC MOSFET, N-CH, 150V, 165A, DFNW;
Производитель:
ON Semiconductor
NVMYS003N08LHTWG MOSFET, N-CH, 80V, 132A, LFPAK;
Производитель:
ON Semiconductor
NVMYS021N10MCLTWG 100V 31A 23m?@10V,31A 3V One N-channel 49W LFPAK-4 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
ON Semiconductor
NVMYS8D0N04CTWG NVMYS8D0N04CTWG MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 8.1 mOhm , 49 A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
49А
Сопротивление открытого канала:
8.1мОм
Тип транзистора:
N-канальный
NVMYS9D3N06CLTWG N-Channel Single Enhancement Mode Power MOSFET
Производитель:
ON Semiconductor
NVR1P02T1G NVR1P02T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
165пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVR4003NT3G NVR4003NT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate
Тип монтажа:
Surface Mount
NVR4501NT1G NVR4501NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVR5124PLT1G NVR5124PLT1G MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -60V, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.1A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.183ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:
Производитель:
ON Semiconductor
NVR5198NLT1G NVR5198NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
155 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
5.1нКл
Входная емкость:
182пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVS4409NT1G NVS4409NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SC-70 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
280мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.5нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTA7002NT1G NVTA7002NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 154мА
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
154мА
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
NVTFS002N04CLTAG NVTFS002N04CLTAG N-Channel 40V 28A 142A 3.2W 85W Surface Mount WDFN-8(3.3x3.3)
Производитель:
ON Semiconductor
На странице: