- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
NVTFS003N04CTAG
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, 103A, 69W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:103A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
Производитель:
ON Semiconductor
Производитель:
ON Semiconductor
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFS4C05NTAG
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 30V, WDFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:102A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V;
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFS4C08NTWG
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
18.2нКл
Входная емкость:
1113пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTFS4C10NWFTAG
N-Channel 30V 15.3A 47A 3W 28W Surface Mount WDFN-8(3.3x3.3)
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFS5116PLTAG
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1258пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTFS5116PLTWG
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTFS5116PLWFTAG
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
52 мОм @ 7А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
25нКл @ 10В
Входная емкость:
1258пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTFS5820NLTWG
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 37A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
11.5 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1462пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTFS5826NLTAG
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.6A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTFS5C466NLTAG
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, WDFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:51A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0061ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V;
Производитель:
ON Semiconductor
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара