- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
NVJS4405NT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 1A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
630мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.5нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVMFS4C03NWFT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 31.4A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
31.4А
Тип транзистора:
N-канальный
NVMFS5826NLWFT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
24 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
17нКл @ 10В
Входная емкость:
850пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
NVMFS5885NLT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10.2A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10.2A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
15 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
21нКл @ 10В
Входная емкость:
1340пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
29A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
27А
Тип транзистора:
N-канальный
NVMFS6H800NT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 28A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
28А
Тип транзистора:
N-канальный
NVMFS6H818NT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 20A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
20А
Тип транзистора:
N-канальный
NVMYS8D0N04CTWG
MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 8.1 mOhm , 49 A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
49А
Сопротивление открытого канала:
8.1мОм
Тип транзистора:
N-канальный
NVR1P02T1G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
165пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVS4409NT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SC-70 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
280мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.5нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTFS4C08NTWG
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
18.2нКл
Входная емкость:
1113пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара