Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
NVTFS5C471NLTAG NVTFS5C471NLTAG N-Channel 40V 41A 30W Surface Mount WDFN-8(3.3x3.3)
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFS5C478NLWFTAG NVTFS5C478NLWFTAG MOSFET Transistor AFSM T6 40V LL U8FL WF
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFS5C670NLTAG NVTFS5C670NLTAG MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 70A, WDFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFS5C673NLTAG NVTFS5C673NLTAG MOSFET, N-CH, 60V, 50A, 175°C, 46W;
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG MOSFET, N-CH, 80V, 68A, WDFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:68A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFS6H850NWFTAG NVTFS6H850NWFTAG MOS Transistor TRENCH 8 80V NFET
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFS6H854NTAG NVTFS6H854NTAG MOSFET, N-CH, 80V, 44A, 175°C, 68W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0119ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFS6H860NLTAG NVTFS6H860NLTAG MOSFET, N-CH, 80V, 30A, WDFN;
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFS6H880NTAG NVTFS6H880NTAG N-Channel 80V 21A 31W Surface Mount WDFN-8(3.3x3.3)
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG MOS Transistor Single N-Channel Power MOS Transistor 80V, 13A, 50mO, Logic Level WDFN8 (Pb-Free)
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFS6H888NWFTAG NVTFS6H888NWFTAG MOSFET'S - SINGLE;
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFS8D1N08HTAG MOSFET, N-CH, 80V, 61A, WDFN;
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFWS014P04M8LTAG NVTFWS014P04M8LTAG P-Channel 40V 49A 61W Surface Mount WDFN-8(3.3x3.3)
Производитель:
ON Semiconductor
NVTFWS9D6P04M8LTAG NVTFWS9D6P04M8LTAG MOSFET, P-CH, 40V, 64A, 175°C, 75W;
Производитель:
ON Semiconductor
NVTR01P02LT1G NVTR01P02LT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.3A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTR4502PT1G NVTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.95A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.13A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTR4503NT1G NVTR4503NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
420мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
63 мОм
Мощность макс.:
49Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
485пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD14N05L RFD14N05L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
RFD14N05LSM RFD14N05LSM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: