Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (853)
STW13N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STW13NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1KВ 13А 350Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 350Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 266нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Through Hole
STW13NK60Z Транзистор полевой N-канальный 600В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2030пФ Тип монтажа: Through Hole
STW15N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 14A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
STW15N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 12 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole
STW15NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 15А 350Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 350Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 256нКл Входная емкость: 6100пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STW17N62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STW18NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 285 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole
STW18NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17А 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 295 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2070пФ Тип монтажа: Through Hole
STW19NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole
STW20N95DK5 MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 18А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
STW20N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 17.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 330 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole
STW20NM50FD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 214Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1380пФ Тип монтажа: Through Hole
STW20NM60FD Транзистор полевой N-канальный 600В 20A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
STW21N150K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.5кВ 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 14А Сопротивление открытого канала: 0.7Ом Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
Акция STW21N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 17 А, 0.179 Ом, 30 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STW21NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 17 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247-3
STW23NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 17A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1330пФ Тип монтажа: Through Hole
STW240N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
STW24N60M2 MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 190 мОм @ 9А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 29нКл @ 10В Входная емкость: 1060пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"