Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (850)
STU13N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 580пФ Тип монтажа: Through Hole
STU13NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Тип транзистора: N-канал
Акция STU150N3LLH6 Транзистор полевой N-канальный 30В 80А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 4040пФ Тип монтажа: Through Hole
STU2N62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 2.2 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole
STU2N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.5нКл Входная емкость: 105пФ Тип монтажа: Through Hole
STU2N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 2 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 105пФ Тип монтажа: Through Hole
STU2NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.85A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.85A Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 499пФ Тип монтажа: Through Hole
STU3LN62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 2.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251
STU3N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В 2.7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 385пФ Тип монтажа: Through Hole
STU3N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 2.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Through Hole
STU4N52K3 Транзистор полевой N-канальный 525В 2.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 2.6 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 334пФ Тип монтажа: Through Hole
STU4N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В 3.8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
STU4N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 3A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Through Hole
STU5N52K3 Полевой транзистор, N-канальный, 525 В, 4.4 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251
STU5N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.7 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220
STU5N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В 4.2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STU5N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 4A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole
STU60N3LH5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 48 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251
Акция STU6N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В 5.5А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 875пФ Тип монтажа: Through Hole
STU6N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 9A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"