Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STW26NM60ND
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
STW28NM50N
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 21 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 158 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 1735пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW30N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 22А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 22A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 139 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 64нКл @ 10В
Входная емкость: 2880пФ @ 100В
Тип монтажа: Through Hole
STW30NF20
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 30 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
STW31N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 22A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 148 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 816пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW32NM50N
Транзистор полевой N-канальный 500В 22A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 130 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 62.5нКл
Входная емкость: 1973пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW33N60M2
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 26A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 45.5нКл
Входная емкость: 1781пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW34N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 28A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 62.5нКл
Входная емкость: 2700пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW34NM60ND
Транзистор полевой N-канальный 600В 29A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 210Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 80.4нКл
Входная емкость: 2785пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW35N65M5
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 27 А, 0.098 Ом, 40 Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
STW36N55M5
Транзистор полевой N-канальный 550В 33A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 550В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 80 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 62нКл
Входная емкость: 2950пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW36NM60ND
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 80.4нКл
Входная емкость: 2785пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW38N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 30A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 95 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 71нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW3N150
Транзистор полевой N-канальный 1500В 2.5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 1500В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 9 Ом
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 29.3нКл
Входная емкость: 939пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW40N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В 34A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 34A
Сопротивление открытого канала: 88 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 57нКл
Входная емкость: 2500пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW40NF20
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 40 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 75нКл
Входная емкость: 2500пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW42N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 33А 190Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 79 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 4650пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW43NM60ND
Транзистор полевой N-канальный 600В 35А 255Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 88 мОм
Мощность макс.: 255Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 145нКл
Входная емкость: 4300пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW45N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 35A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 78 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 91нКл
Входная емкость: 3375пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.