Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (850)
STW48N60DM2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Тип транзистора: N-канал
STW48NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 39А 330Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 124нКл Входная емкость: 4285пФ Тип монтажа: Through Hole
STW52NK25Z Транзистор полевой N-канальный 250В 52A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4850пФ Тип монтажа: Through Hole
STW57N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 42 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Through Hole
STW57N65M5-4 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 42 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247-4L
Акция STW5NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 3.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1154пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STW60N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 46 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STW62N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 49 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 142нКл Входная емкость: 6420пФ Тип монтажа: Through Hole
STW69N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 58A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 143нКл Входная емкость: 6420пФ Тип монтажа: Through Hole
STW6N120K3 Транзистор полевой N-канальный 1200В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STW6N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 9A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole
STW70N60M2 Транзистор полевой N-канальный 650В 68A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 68A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 450Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 118нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Through Hole
Новинка STW75N60M6 Транзистор полевой N-канальный 600В 72A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Тип транзистора: N-канал
STW75NF20 Транзистор полевой N-канальный 200В 75А 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3260пФ Тип монтажа: Through Hole
STW75NF30AG Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 60 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 320Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 164нКл Входная емкость: 5930пФ Тип монтажа: Through Hole
STW77N60M5 Производитель: ST Microelectronics
STW77N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 69А 400Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 69A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 9800пФ Тип монтажа: Through Hole
STW78N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 69A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 69A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 450Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 203нКл Входная емкость: 9000пФ Тип монтажа: Through Hole
STW7N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 7.2А 150Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 1.35 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1031пФ Тип монтажа: Through Hole
STW7NK90Z Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 5.8 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 60.5нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"