Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

1127
Производитель: ST Microelectronics
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1127)
STW27N60M2-EP STW27N60M2-EP MOSFET Transistor N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET Transistor in a TO-247 package
Производитель:
ST Microelectronics
STW28N60DM2 STW28N60DM2 Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STW28N60M2 STW28N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 24A TO-247
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
150 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
37нКл @ 10В
Входная емкость:
1370пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STW28N65M2 STW28N65M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
STW28NM50N STW28NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
158 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1735пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW30N65M5 STW30N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
139 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
64нКл @ 10В
Входная емкость:
2880пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STW30NF20 STW30NF20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 30 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STW31N65M5 STW31N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
148 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
816пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW32NM50N STW32NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62.5нКл
Входная емкость:
1973пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW33N60DM2 STW33N60DM2 MOSFET, N-CH, 600V, 24A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power
Производитель:
ST Microelectronics
STW33N60M2 STW33N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 26A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45.5нКл
Входная емкость:
1781пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW34N65M5 STW34N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 28A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62.5нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW34NM60ND STW34NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
210Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80.4нКл
Входная емкость:
2785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW35N65M5 STW35N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 27 А, 0.098 Ом, 40 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STW36N55M5 STW36N55M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 33A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
550В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
2950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW36NM60ND STW36NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80.4нКл
Входная емкость:
2785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW38N65M5 STW38N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW3N150 STW3N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
9 Ом
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29.3нКл
Входная емкость:
939пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW3N170 STW3N170 MOSFET, N-CH, 1.7KV, 2.6A, TO-247;
Производитель:
ST Microelectronics
STW40N60M2 STW40N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"