Одиночные MOSFET транзисторы Texas Instruments

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
CSD18535KTTT Производитель: Texas Instruments
CSD18537NKCS Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Through Hole
CSD18537NQ5A Транзистор полевой N-канальный 60В 50A VSONP-8 Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-SON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A(Ta),50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA Заряд затвора: 18нКл @ 10В Входная емкость: 1480пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount
CSD18537NQ5AT Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18540Q5B Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 60В 100А 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON-FET (5x6)
CSD18540Q5B Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments
CSD18540Q5BT Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Тип транзистора: N-канал
CSD18541F5 Полевой транзистор N-канальный 60В 2.2A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments
CSD18543Q3A Транзистор полевой N-канальный 60В 35A 8-Pin VSONP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: VSONP-8 (3.3 mm x 3.3) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Тип транзистора: N-канал
CSD18563Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 96 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18563Q5AT Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD19531KCS Транзистор полевой N-канальный 100В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 7.7 мОм Мощность макс.: 179Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.3В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 3870пФ Тип монтажа: Through Hole
CSD19532Q5BT Транзистор полевой N-канальный 100В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON-FET (5x6)
CSD19533Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 11.1 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2670пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD19533Q5AT Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP
CSD19534Q5A Транзистор полевой N-канальный 100В 137A 8SON Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON-FET (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A(Ta) Сопротивление открытого канала: 15.1 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 1680пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
CSD19534Q5AT Транзистор полевой N-канальный 100В 137A 8SON Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON-FET (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A(Ta) Сопротивление открытого канала: 15.1 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 1680пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
CSD19535KCS Транзистор полевой N-канальный 100В Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 150A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В Заряд затвора: 101нКл Входная емкость: 7930пФ Тип монтажа: Through Hole
CSD19535KTT Полевой транзистор N-канальный 100В 200A 4-Pin(3+Tab) TO-263 лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 200A Тип транзистора: N-канал
CSD19535KTTT Полевой транзистор N-канальный 100В 200A 4-Pin(3+Tab) TO-263 лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 200A Тип транзистора: N-канал
На странице: