- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Texas Instruments
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
CSD16413Q5A
Транзистор полевой N-канальный 25В 100A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В
Заряд затвора: 11.7нКл
Входная емкость: 1780пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17301Q5A
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 28 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
CSD17302Q5A
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 87 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В
Заряд затвора: 7нКл
Входная емкость: 950пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17303Q5
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON-8
CSD17306Q5A
Транзистор полевой N-канальный 30В 100A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.6В
Заряд затвора: 15.3нКл
Входная емкость: 2170пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17307Q5A
Транзистор полевой N-канальный 30В 73A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В
Заряд затвора: 5.2нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17308Q3
Транзистор полевой N-канальный 30В 47А 2.7Вт
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Тип транзистора: N-канал
CSD17308Q3T
Транзистор полевой N-канальный 30В VSON 8
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13A(Ta),47A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 10.3 мОм @ 10А, 8В
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 250 µA
Заряд затвора: 5.1нКл @ 4.5В
Входная емкость: 700пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17309Q3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 5.4 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 1440пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Новинка
![]()
CSD17310Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A/100А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: VSON8-HR
CSD17310Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A/100А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: VSON8-HR
CSD17312Q5
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 38A
Сопротивление открытого канала: 1.5 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 36нКл
Входная емкость: 5240пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17313Q2-Q1
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON6
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В
Заряд затвора: 2.7нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17313Q2-Q1
Полевой транзистор N-канальный 30В 5A автомобильного применения 6-Pin WSON EP лента на катушке
Производитель: Texas Instruments
CSD17313Q2Q1
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON6
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В
Заряд затвора: 2.7нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17318Q2
МОП-транзистор
Производитель: Texas Instruments
CSD17381F4T
Транзистор полевой N-канальный 30В 3.1A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.1A
Сопротивление открытого канала: 109 мОм
Мощность макс.: 500мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
Заряд затвора: 1.35нКл
Входная емкость: 195пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17382F4T
Транзистор полевой N-канальный 30В 2.3A 3-Pin PicoStar лента на катушке
Производитель: Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2.3A
Тип транзистора: N-канал
CSD17483F4
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.5 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON3
CSD17483F4T
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.5 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON3
CSD17484F4T
МОП-транзистор 30V N-Ch FemtoFET МОП-транзистор
Производитель: Texas Instruments
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара