Одиночные MOSFET транзисторы Texas Instruments

93
Производитель: Texas Instruments
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (93)
CSD18540Q5B CSD18540Q5B Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 60В 100А 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18540Q5B Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
CSD18540Q5BT CSD18540Q5BT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18541F5 Полевой транзистор N-канальный 60В 2.2A 3-Pin PicoStar лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
CSD18543Q3A CSD18543Q3A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A 8-Pin VSONP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
VSONP-8 (3.3 mm x 3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18563Q5A CSD18563Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 96A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6.8 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18563Q5AT CSD18563Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
6.8 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19531KCS CSD19531KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
7.7 мОм
Мощность макс.:
179Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.3В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
3870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD19532Q5B CSD19532Q5B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19533Q5A CSD19533Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
11.1 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
2670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19534Q5A CSD19534Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
15.1 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В @ 250 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
1680пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
15.1 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В @ 250 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
1680пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19535KCS CSD19535KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
150A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В
Заряд затвора:
101нКл
Входная емкость:
7930пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD19535KTT CSD19535KTT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A 4-Pin(3+Tab) TO-263 лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
200A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19535KTTT CSD19535KTTT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A 4-Pin(3+Tab) TO-263 лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
200A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19536KCS CSD19536KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
150A
Сопротивление открытого канала:
2.7 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.2В
Заряд затвора:
153нКл
Входная емкость:
12000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD19538Q3A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15А 0.072Ом 2.8Вт
Производитель:
Texas Instruments
CSD22205L CSD22205L Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 7.4A 4-Pin PICOSTAR лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение сток-исток макс.:
Ток стока макс.:
7.4A
Тип транзистора:
P-канал
CSD23202W10 CSD23202W10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.2A 4DSBGA
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
4-DSBGA (1x1)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.2A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
53 мОм @ 500mА, 4.5В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ @ 250 µA
Заряд затвора:
3.8нКл @ 4.5В
Входная емкость:
512пФ @ 6В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD23203WT CSD23203WT Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 3A 6DSBGA
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
6-DSBGA
Напряжение сток-исток макс.:
Ток стока макс.:
3A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
19.4 мОм @ 1.5А, 4.5В
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В @ 250 µA
Заряд затвора:
6.3нКл @ 4.5В
Входная емкость:
914пФ @ 4В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: