- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (877)
SUD50N03-06AP-E3
Транзистор полевой N-канальный 30В 90A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 90A
Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Заряд затвора: 95нКл
Входная емкость: 3800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD50N04-8M8P-4GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм
Мощность макс.: 48.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD50N06-09L-E3
Транзистор полевой N-канальный 60В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм
Мощность макс.: 136Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 2650пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P04-08-GE3
Транзистор полевой P-канальный 40В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 8.1 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 159нКл
Входная емкость: 5380пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P04-09L-E3
Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 50 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 4800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P06-15-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 15 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 165нКл
Входная емкость: 4950пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P06-15L-E3
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 50 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 15 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 165нКл
Входная емкость: 4950пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P06-15L-GE3
Полевой транзистор P-канальный 60В 15мОм DPak (TO-252)
Производитель: Vishay
SUD50P08-25L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 25.2 мОм
Мощность макс.: 136Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 160нКл
Входная емкость: 4700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P10-43L-E3
Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 37.1 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 37.1A
Сопротивление открытого канала: 43 мОм
Мощность макс.: 136Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 160нКл
Входная емкость: 4600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P04-05-E3
Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 110 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 110A
Сопротивление открытого канала: 5 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 280нКл
Входная емкость: 11300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P06-07L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 110A
Сопротивление открытого канала: 6.9 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 345нКл
Входная емкость: 11400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P06-08L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 110A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 240нКл
Входная емкость: 9200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P08-11L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 110A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 110A
Сопротивление открытого канала: 11.2 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 270нКл
Входная емкость: 10850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM45N25-58-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 45 А, 375 Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 45A
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
SUM55P06-19L-E3
Транзистор полевой P-канальный 60В 55A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 55A
Сопротивление открытого канала: 19 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 115нКл
Входная емкость: 3500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM60N10-17-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 4300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM65N20-30-E3
Транзистор полевой N-канальный 200В 65А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 65A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 5100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SUM80090E-GE3
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 128А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
SUM85N15-19-E3
Транзистор полевой N-канальный 150В 85A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 85A
Сопротивление открытого канала: 19 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 4750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара