Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (877)
SUM90N10-8M2P-E3 Транзистор полевой N-канальный 100В 90A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 8.2 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 6290пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM90P10-19L-E3 Транзистор полевой P-канальный 100В 90A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 326нКл Входная емкость: 11100пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUP40N25-60-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole
SUP53P06-20-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 9.2A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole
SUP57N20-33-E3 Транзистор полевой N-канальный 200В 57A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5100пФ Тип монтажа: Through Hole
SUP70101EL-GE3 Транзистор полевой P-канальный 100В 120А TO-220AB Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Through Hole
SUP75P05-08  Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220
SUP85N10-10-E3 Транзистор полевой N-канальный 100В 85A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 6550пФ Тип монтажа: Through Hole
SUP85N10-10-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 85 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220
Новинка SUP85N15-21-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 85A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Through Hole
SUP90N06-6M0P-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 90A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Through Hole
SUP90P06-09L-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 90A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Through Hole
TN2404K-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 240В 200мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount
TN2404K-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 240В 200мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount
TP0610K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 185мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.7нКл Входная емкость: 23пФ Тип монтажа: Surface Mount
TP0610K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 185мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.7нКл Входная емкость: 23пФ Тип монтажа: Surface Mount
VS-FC420SA10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 190 А, 568Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-227 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190А Мощность макс.: 568Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Chassis Mount
На странице: