Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

₈₉₅

Производитель: Vishay

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (895)

SI8416DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 8В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-Micro Foot[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

8В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1470пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8424CDB-T1-E1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 8В

Производитель:

Vishay

Корпус:

Microfoot4

Напряжение сток-исток макс.:

8В

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Logic Level Gate, 1.2V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

2340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8483DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-Micro Foot[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8489EDB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В

Производитель:

Vishay

Корпус:

Microfoot4

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

780мВт

Тип транзистора:

P-канальный

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

765пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8499DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-Micro Foot[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.3В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8802DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 8В

Производитель:

Vishay

Корпус:

Microfoot4

Напряжение сток-исток макс.:

8В

Сопротивление открытого канала:

54 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

6.5нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8812DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В

Производитель:

Vishay

Корпус:

Microfoot4

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Сопротивление открытого канала:

59 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

17нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8817DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В

Производитель:

Vishay

Корпус:

Microfoot4

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Сопротивление открытого канала:

76 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

P-канальный

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

615пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9407BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 4.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.7A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9407BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 4.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.7A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9433BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

14нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9435BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

800 шт

Цена от:

от 42,60₽

SIA413DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

29 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

57нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA416DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

11.3A

Сопротивление открытого канала:

83 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA421DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

950пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA427ADJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение сток-исток макс.:

8В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA429DJT-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

20.5 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

1750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA433EDJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

75нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA436DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 8В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение сток-исток макс.:

8В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

9.4 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.2V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

25.2нКл

Входная емкость:

1508пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA437DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 29.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

29.7A

Сопротивление открытого канала:

14.5 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

2340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении