- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (875)
![](/fs/cache/b8/a2/1f/a5/5d34d35e2a950d45a2bb6e58.jpg)
![](/fs/cache/a8/50/07/96/49332d65e22bb3a88eb2b569.jpg)
![](/fs/cache/54/f3/f5/98/3d4ca52865663201d219dbd6.jpg)
SIA447DJ-T4-GE3
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 12В
Ток стока макс.: 12А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
![](/fs/cache/54/f3/f5/98/3d4ca52865663201d219dbd6.jpg)
![](/fs/cache/54/f3/f5/98/3d4ca52865663201d219dbd6.jpg)
![](/fs/cache/54/f3/f5/98/3d4ca52865663201d219dbd6.jpg)
![](/fs/cache/b8/a2/1f/a5/5d34d35e2a950d45a2bb6e58.jpg)
![](/fs/cache/42/83/9b/df/7da3745366a0a617d63b5443.jpg)
![](/fs/cache/a8/50/07/96/49332d65e22bb3a88eb2b569.jpg)
SIDR626LEP-T1-RE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 218A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAK® SO-8 Single
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 218А
Тип транзистора: N-канальный
Новинка
SIDR680DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
![](/fs/cache/4a/40/6e/79/2ebee35d47992ca11c3014d3.jpg)
SIE818DF-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PolarPAKВ®10-(L)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 95нКл
Входная емкость: 3200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIE822DF-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 50 А
Производитель: Vishay
Корпус: PolarPAKВ®10-(S)
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 4200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
![](/fs/cache/b6/29/99/d2/275e9547f83462cf81a2f97e.jpg)
![](/fs/cache/eb/26/12/ac/f4b211c76a165c1efc8a738b.jpg)
SIHB15N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 15 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 180Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB15N65E-GE3
Полевой транзистор N-канальный 650В 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 15A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB22N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 227Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 86нКл
Входная емкость: 1920пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB22N65E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 22 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 227Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 2415пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара