Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

895
Производитель: Vishay
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (895)
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS410DN-T1-GE3 SIS410DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
4.8 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
7.6 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1530пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS438DN-T1-GE3 SIS438DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
27.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
11.7 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
135нКл
Входная емкость:
4370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SiS4604DN-T1-GE3 SiS4604DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 44A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
SIS468DN-T1-GE3 SIS468DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
19.5 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.6В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
23.5 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
802пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19.5нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SISA04DN-T1-GE3 SISA04DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
2.15 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SISH112DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17.8А 2Вт
Производитель:
Vishay
SISS71DN-T1-GE3 SISS71DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный -100В 23А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный -70В 31.8А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-Power33 (3x3)
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3A автомобильного применения
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
5.3нКл
Входная емкость:
205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ2351ES-T1_GE3 SQ2351ES-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ2361ES-T1_GE3 SQ2361ES-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.8A автомобильного применения 3-Pin TO-236 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.8A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В SOT-23
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
420пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: