- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
895
Производитель:
Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (895)
SQ3418AEEV-T1_GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ3469EV-T1_GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1020пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Vishay
Корпус:
1212
SQD50N05-11L-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
2106пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQD50P08-25L_GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 80 В, 50 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
50А
Мощность макс.:
136Вт
Тип транзистора:
P-канальный
SQJ457EP-T1_GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 36A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
36А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SQJ963EP-T1_GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8A автомобильного применения 8-Pin PowerPAK SO лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -60V, -120A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-120A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:
Производитель:
Vishay
SQM50034E_GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A Rds=3.9мОм
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
SQS401EN-T1_GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 16A автомобильного применения 8-Pin PowerPAK 1212 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
16А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD08P06-155L-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
155 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD15N15-95-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD19N20-90-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD19P06-60-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD19P06-60-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD23N06-31-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
21.4A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
31.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Vishay
Корпус:
D-Pak (TO-252AA)
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара