- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
895
Производитель:
Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (895)
SUD40N08-16-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252, (D-Pak)
Напряжение сток-исток макс.:
100V
Ток стока макс.:
40A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
25 mOhm @ 40A, 10V
Мощность макс.:
3W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3V @ 250 µA
Заряд затвора:
60nC @ 10V
Входная емкость:
2400pF @ 25V
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD45P03-09-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 45 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
SUD50N03-06AP-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50N06-09L-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
136Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P04-08-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
8.1 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
159нКл
Входная емкость:
5380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P04-09L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
4800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P06-15-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
165нКл
Входная емкость:
4950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P06-15L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
165нКл
Входная емкость:
4950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P10-43L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 37.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
37.1A
Сопротивление открытого канала:
43 мОм
Мощность макс.:
136Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM110P04-05-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 110A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
280нКл
Входная емкость:
11300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM110P06-07L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
6.9 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
345нКл
Входная емкость:
11400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM45N25-58-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45А 375Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
45A
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
SUM55P06-19L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 55A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
115нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM60061EL-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 150A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
SUM60N10-17-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
16.5 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM65N20-30-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
128А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM85N15-19-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 85A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара