Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

890
Производитель: Vishay
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (890)
SQS401EN-T1_GE3 SQS401EN-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 16A автомобильного применения 8-Pin PowerPAK 1212 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
16А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD15N15-95-E3 SUD15N15-95-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
48 000 шт
Цена от:
от 53,40
SUD35N10-26P-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 35 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D-Pak (TO-252AA)
SUD40N08-16-E3 SUD40N08-16-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD40N10-25-E3 MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252, (D-Pak)
Напряжение сток-исток макс.:
100V
Ток стока макс.:
40A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
25 mOhm @ 40A, 10V
Мощность макс.:
3W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3V @ 250 µA
Заряд затвора:
60nC @ 10V
Входная емкость:
2400pF @ 25V
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD45P03-09-GE3 SUD45P03-09-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 45 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
SUD50N03-06AP-E3 SUD50N03-06AP-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
136Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
8.1 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
159нКл
Входная емкость:
5380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
4800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P06-15L-GE3 Полевой транзистор P-канальный 60В 15мОм DPak (TO-252)
Производитель:
Vishay
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 110A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
280нКл
Входная емкость:
11300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM45N25-58-E3 SUM45N25-58-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45А 375Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
45A
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
16.5 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM80090E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 128A D2PAK
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
128А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM85N15-19-E3 SUM85N15-19-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 85A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
6290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUP40N25-60-E3 SUP40N25-60-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице: