Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

897
Производитель: Vishay
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (897)
SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM80090E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 128A D2PAK
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
128А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM85N15-19-E3 SUM85N15-19-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 85A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
6290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
326нКл
Входная емкость:
11100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUP40N25-60-E3 SUP40N25-60-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUP53P06-20-E3 SUP53P06-20-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
19.5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
115нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 57A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUP70101EL-GE3 SUP70101EL-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 120А TO-220AB
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SUP75P05-08  SUP75P05-08  Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 85A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
6550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 85 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
SUP90N06-6M0P-E3 SUP90N06-6M0P-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUP90P06-09L-E3 SUP90P06-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
TN2404K-T1-E3 TN2404K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 200мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
8нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
TN2404K-T1-GE3 TN2404K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 200мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
8нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
VS-FB190SA10 VS-FB190SA10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 190 А, 568Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-227
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190А
Мощность макс.:
568Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Chassis Mount
На странице: