Сборки MOSFET транзисторов

56
Корпус: SOT363/SC70-6
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (56)
FDG8842CZ FDG8842CZ Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В/-25 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В, 25 В
Ток стока макс.:
750 мА, 410 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
FDG8850NZ FDG8850NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.75 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
750 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
MMFT8472DW MMFT8472DW 60V 130mA 10Ohm@10V,130mA 200mW 2.5V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS
Производитель:
Diotec Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Акция
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 8 В, 1.3 А, 0.4Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
8 В
Ток стока макс.:
1.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
400 мВт
NTJD4105CT2G NTJD4105CT2G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В/8 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В, 8 В
Ток стока макс.:
630 мА, 775 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
NTJD4158CT1G NTJD4158CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В/20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В, 20 В
Ток стока макс.:
250 мА, 880 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 630 мА, 0.55Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
630 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.295 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC70-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
295 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.63 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
630 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
SI1539CDL-T1-GE3 SI1539CDL-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 700 мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
700 мА, 500 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
340 мВт
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 700 мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363 (SC-88)
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
700 мА, 500 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
340 мВт
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 1.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363 (SC-88)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
1.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
420 мВт
SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 1.3 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363 (SC-88)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
1.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.25 Вт
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 370 мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363 (SC-88)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
370 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
510 мВт
SI1965DH-T1-GE3 SI1965DH-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 1.3 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363 (SC-88)
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
12 В
Ток стока макс.:
1.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.25 Вт
SI1967DH-T1-GE3 SI1967DH-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 1.3 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363 (SC-88)
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
1.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.25 Вт
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице:

Сборки MOSFET – объединения в одном корпусе МОП-транзисторов. Как правило, они сочетают в себе как N-канальные, так и P-канальные транзисторы, но некоторые конфигурации предусматривают, например, 4 N-канальных или 2 P-канальных транзистора, а также N- и P-канальные полевые транзисторы с общим истоком. Сборки транзисторов могут облегчить проектирование печатной платы, сэкономить её полезную площадь, а также за счёт выполнения в рамках одного технологического процесса обладать очень близкими характеристиками.

Каталог интернет-магазина «Промэлектроника» содержит широкий ассортимент сборок MOSFET: 2N-канальные, 2N+2P-канальные, N- и P-канальные с одинаковым истоком и т.д. Они представлены моделями лучших компаний-производителей электроники: Infineon, ROHM и др.

Купить сборки MOSFET-транзисторов возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Сборки MOSFET транзисторов

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Сборки MOSFET транзисторов в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Сборки MOSFET транзисторов - от 1.22 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Сборки MOSFET транзисторов в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Сборки MOSFET транзисторов в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"