Сборки MOSFET транзисторов NEXPERIA

68
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (68)
BUK9K12-60EX BUK9K12-60EX LFPAK-56D-8 MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
BUK9K17-60E,115 60V 26A 17mOhm@5V,10A 53W 1.7V 2 N-Channel SOT1205 MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
BUK9K17-60EX BUK9K17-60EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A автомобильного применения 8-Pin LFPAK-D лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56D
BUK9K18-40E,115 BUK9K18-40E,115 Транзистор полевой 2N-канальный 40В 30A LFPAK56D
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56D
BUK9K20-80EX BUK9K20-80EX MOSFET, AUTO, DUAL N-CH, 80V, SOT1205; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0142ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vg
Производитель:
NEXPERIA
BUK9K25-40EX BUK9K25-40EX Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 18.2 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56D
BUK9K35-60E,115 BUK9K35-60E,115 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 22 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56D
BUK9K35-60RAX BUK9K35-60RAX Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK-D T/R
Производитель:
NEXPERIA
BUK9K52-60RAX BUK9K52-60RAX Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R
Производитель:
NEXPERIA
NX138AKVL NX138AKVL 60V 190mA 4.5Ohm@10V,190mA 265mW 1.5V 1 N-Channel TO-236AB MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
NX138BKHH NX138BKHH MOSFET, N-CH, 60V, 0.38A, DFN0606;
Производитель:
NEXPERIA
NX138BKR NX138BKR MOS Transistor NX138BK/TO-236AB/REEL 7" Q3/T4
Производитель:
NEXPERIA
NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 0.2 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSSOP
NX3008PBKVL NX3008PBKVL MOSFET;
Производитель:
NEXPERIA
PHC21025,118 PHC21025,118 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
8-SO
PHC2300,118 PHC2300,118 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 300 В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOIC8
PHKD3NQ10T,518 PHKD3NQ10T,518 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
100 В
Ток стока макс.:
3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
PHN210T,118 PHN210T,118 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOIC8
PHP225,118 PHP225,118 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
8-SO
PMCPB5530X,115 PMCPB5530X,115 MOSFET, N/P-CH, 20V, DFN2020; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:5.3A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:650m
Производитель:
NEXPERIA
На странице: