Сборки MOSFET транзисторов NEXPERIA

68
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (68)
NX3008PBKVL NX3008PBKVL MOSFET;
Производитель:
NEXPERIA
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
2 N-Channel (Dual)
Особенности:
Logic Level Gate
Напряжение сток-исток макс.:
30V
Ток стока макс.:
200mA
Максимальная рассеиваемая мощность:
375mW
NX7002AKS,115 NX7002AKS,115 MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 0.17A, TSSOP;
Производитель:
NEXPERIA
NX7002BKSX NX7002BKSX MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 0.24A, SOT-363-6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:240mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Производитель:
NEXPERIA
NX7002BKXBZ NX7002BKXBZ Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 6-Pin DFN-B EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
Тип транзистора:
N-Channel
Напряжение сток-исток макс.:
60V
Ток стока макс.:
0.26A
PHC21025,118 PHC21025,118 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
8-SO
PHC2300,118 PHC2300,118 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 300 В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOIC8
PHKD3NQ10T,518 PHKD3NQ10T,518 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
100 В
Ток стока макс.:
3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
PHN210T,118 PHN210T,118 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOIC8
PHP225,118 PHP225,118 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
8-SO
PMCPB5530X,115 PMCPB5530X,115 MOSFET, N/P-CH, 20V, DFN2020; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:5.3A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:650m
Производитель:
NEXPERIA
PMDPB30XN,115 PMDPB30XN,115 MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-HUSON (2x2)
PMDPB30XNAX PMDPB30XNAX MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 4.5A, DFN2020;
Производитель:
NEXPERIA
PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115 MOSFET, DUAL P-CH, 20V, SOT1118; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs
Производитель:
NEXPERIA
PMDPB56XNEAX PMDPB56XNEAX MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 3.1A, DFN2020D;
Производитель:
NEXPERIA
PMDPB58UPE,115 PMDPB58UPE,115 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.6 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-HUSON (2x2)
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
3.6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
515 мВт
PMDPB70XP,115 PMDPB70XP,115 Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin HUSON EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
PMDPB95XNE2X PMDPB95XNE2X MOS Transistor PMDPB95XNE2/HUSON6/REEL 7" Q1/
Производитель:
NEXPERIA
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
2 N-Channel (Dual)
Особенности:
Logic Level Gate
Напряжение сток-исток макс.:
20V
Ток стока макс.:
800mA
Максимальная рассеиваемая мощность:
500mW
На странице: