Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (175)
FDS6986AS Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6.5 А/7.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 6.5 А, 7.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
FDS6990A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 7.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
FDS6990AS Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2xN-channel Максимальное напряжение сток-исток: 30V Маскимальный ток стока: 7.5A
FDS8858CZ Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, -7.3 А/8.6 А, 2 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 8.6 А, 7.3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
FDS89141 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 100 В Маскимальный ток стока: 3.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
FDS89161 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 100 В Маскимальный ток стока: 2.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
FDS89161LZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 100 В Маскимальный ток стока: 2.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
FDS8928A Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В/20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В, 20 В Маскимальный ток стока: 5.5 А, 4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
FDS8935 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 80 В, 2.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 80 В Маскимальный ток стока: 2.1 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
FDS8949 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 40 В Маскимальный ток стока: 6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт
FDS8958A Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, -5 А/7 А, 2 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 7 А, 5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
FDS8958B Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 6.4 А, 4.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
FDS8978 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.5 А, 1.6 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 7.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
FDS8984 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8N Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
FDS9926A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.5 А, 2Вт, 0.03 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 6.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
12 478 шт
Цена от:
от 7,48
Акция FDS9933A Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.8 А, 2 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3.8 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
FDS9934C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 6.5 А/5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 6.5 А, 5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
FDS9945 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.5 А, 2 Вт, 0.1 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 3.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт
FDS9953A Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 2.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
FDS9958 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 2.9 А, 2 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 2.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт
На странице: