Одиночные IGBT транзисторы IXYS Corporation

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (17)

IXA37IF1200HJ IGBT 1200V 58A 195W TO247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: MAX247

Сообщить о поступлении

IXBF32N300 Trans IGBT Chip N-CH 3000V 40A 160000mW Производитель: IXYS Corporation Корпус: ISOPLUS i4-PAC[тм]

Сообщить о поступлении

IXBH42N170 IGBT 1700V 80A 360W TO247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD

Сообщить о поступлении

IXBH42N170A IGBT 1700V 80A 360W TO247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD

Сообщить о поступлении

IXBX75N170 IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: PLUS247[тм]-3

Сообщить о поступлении

IXGA20N120A3 IGBT 1200V 40A 180W TO263 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXGA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 180W Переключаемая энергия: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)

Сообщить о поступлении

IXGH32N170 IGBT 1700V 75A 350W TO247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1700V Макс. ток коллектора: 75A Импульсный ток коллектора макс.: 200A Макс. рассеиваемая мощность: 350W Переключаемая энергия: 11mJ (off)

Сообщить о поступлении

IXGH32N170A Биполярный транзистор IGBT, 1700 В, 32 А, 350 Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1700 В Макс. ток коллектора: 32 А Импульсный ток коллектора макс.: 110 А Макс. рассеиваемая мощность: 350 Вт Переключаемая энергия: 1.5 мДж

Сообщить о поступлении

IXGH48N60C3 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 300 Вт TO247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 75A Импульсный ток коллектора макс.: 250A Макс. рассеиваемая мощность: 300W Переключаемая энергия: 410 µJ (on), 230 µJ (off)

Сообщить о поступлении

Акция IXGH60N60C2 Биполярный транзистор IGBT, 300 В, 56 А, 150 Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD

Сообщить о поступлении

IXGN200N60B3 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 300A 830Вт 4Pin SOT-227B Производитель: IXYS Corporation Корпус: SOT-227

Сообщить о поступлении

Акция

IXGP90N33TCM-A Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 40 А, 57 Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220FP Макс. напр. коллектор-эмиттер: 330 В Макс. ток коллектора: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 57W

Сообщить о поступлении

IXLF19N250A Биполярный транзистор IGBT, 2500 В, 32 А, 250 Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: ISOPLUS i4-PAC[тм] Макс. напр. коллектор-эмиттер: 2500 В Макс. ток коллектора: 32 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 15 мДж

Сообщить о поступлении

IXXH110N65C4 IGBT 650V 234A 880W TO247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V Макс. ток коллектора: 234A Импульсный ток коллектора макс.: 600A Макс. рассеиваемая мощность: 880W Переключаемая энергия: 2.3mJ (on), 600 µJ (off)

Сообщить о поступлении

IXXH50N60C3 IGBT 600V 100A 600W TO247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 100A Импульсный ток коллектора макс.: 200A Макс. рассеиваемая мощность: 600W Переключаемая энергия: 720 µJ (on), 330 µJ (off)

Сообщить о поступлении

IXXH60N65C4 IGBT 650V 118A 455W TO247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V Макс. ток коллектора: 118A Импульсный ток коллектора макс.: 240A Макс. рассеиваемая мощность: 455W Переключаемая энергия: 3.2mJ (on), 830 µJ (off)

Сообщить о поступлении

IXYN82N120C3H1 IGBT-транзистор 1200В 105А 500Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: SOT-227 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 105A Макс. рассеиваемая мощность: 500W

Сообщить о поступлении