Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

357
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (357)
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
326 Вт
Переключаемая энергия:
2.65 мДж
Наличие:
1 419 шт

Внешние склады:
1 040 шт
Цена от:
от 208,58
IRGP4062DPBF IRGP4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
1 285 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 157,76
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
483 Вт
Переключаемая энергия:
4.4 мДж
Наличие:
1 256 шт

Внешние склады:
565 шт
Цена от:
от 226,52
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
428 Вт
Переключаемая энергия:
4.5 мДж
Наличие:
1 130 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 285,63
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1600 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
310 Вт
Наличие:
1 023 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 277,59
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 500 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Наличие:
898 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 282,43
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
2.9 мДж
Наличие:
806 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 228,64
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 288 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1350V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
288W
Переключаемая энергия:
950 µJ (off)
Наличие:
787 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 147,21
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Наличие:
698 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 194,76
IRGP4063DPBF IRGP4063DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
96 А
Импульсный ток коллектора макс.:
144 А
Макс. рассеиваемая мощность:
330 Вт
Переключаемая энергия:
625 мкДж
Наличие:
631 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 605,13
IKQ75N120CH3XKSA1 IKQ75N120CH3XKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором 1.2кВ, 150А, 938Вт, TO-247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Наличие:
628 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 482,22
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650В 90А 395Вт [TO-247]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Наличие:
617 шт

Внешние склады:
130 шт
Цена от:
от 188,18
IHW20N120R3FKSA1 IHW20N120R3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
40A
Макс. рассеиваемая мощность:
310W
Переключаемая энергия:
950 мкДж
Наличие:
415 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 205,39
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
217 Вт
Переключаемая энергия:
1.55 мДж
Наличие:
402 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 266,45
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
383 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 122,33
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
333 Вт
Переключаемая энергия:
2.36 мДж
Наличие:
365 шт

Внешние склады:
305 шт
Цена от:
от 212,65
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
326 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 170,76
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
320 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 130,14
IRG4BC30WPBF IRG4BC30WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
130 мкДж
Наличие:
302 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 126,98
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
480 Вт
Переключаемая энергия:
5.25 мДж
Наличие:
278 шт

Внешние склады:
405 шт
Цена от:
от 300,48
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"