Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (356)
IGP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 74 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 255 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж
Наличие:
142 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 425,18
Новинка IKA10N60TXKSA1 Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F
Наличие:
136 шт

Под заказ:
1 395 шт
Цена от:
от 114,04
IKW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 326 Вт Переключаемая энергия: 2.65 мДж
Наличие:
1 686 шт

Под заказ:
815 шт
Цена от:
от 258,72
Акция IKW40N120CS6XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 500 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
Наличие:
86 шт

Под заказ:
900 шт
Цена от:
от 354,49
IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 483 Вт Переключаемая энергия: 4.4 мДж
Наличие:
1 019 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 394,88
IKW40N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 480 Вт Переключаемая энергия: 5.25 мДж
Наличие:
983 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 338,69
IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 428 Вт Переключаемая энергия: 4.5 мДж
Наличие:
1 583 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 444,29
Акция IRG4BC30UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 160 мкДж
Наличие:
129 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 139,68
IRG4PC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 49 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
Наличие:
159 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 719,57
Акция IRGB4059DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 56 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 8 А Импульсный ток коллектора макс.: 16 А Макс. рассеиваемая мощность: 56 Вт Переключаемая энергия: 35 мкДж
Наличие:
225 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 54,09
IRGP4063DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 96 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 625 мкДж
Наличие:
1 878 шт

Под заказ:
13 900 шт
Цена от:
от 385,09
IRGP50B60PD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 255 мкДж
Наличие:
987 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 298,29
AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 57 А Импульсный ток коллектора макс.: 114 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж
Наличие:
30 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 575,86
Акция AUIRGP4063D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 625 мкДж
Наличие:
4 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 шт
Цена от:
от 903,98
Акция AUIRGP4063D-E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC
Наличие:
2 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 шт
Цена от:
от 384,52
AUIRGR4045D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 12 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
Наличие:
27 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 299,24
Новинка IGW20N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT 600В 20А TO-247 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247-3-46
Наличие:
229 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
185 шт
Цена от:
от 385,43
IGW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 306W
Наличие:
40 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 563,59
IGW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 75A Макс. рассеиваемая мощность: 270W
Наличие:
35 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 733,40
IGW60T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 375 Вт Переключаемая энергия: 9.5 мДж
Наличие:
82 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 724,97
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"