Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

₁₅₆

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (156)

FGH40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

555 Вт

Переключаемая энергия:

2.7 мДж

Наличие:

1 279 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 306,77₽

FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

600 Вт

Переключаемая энергия:

1.26 мДж

Наличие:

1 140 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 214,12₽

FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.13 мДж

Наличие:

857 шт

Внешние склады:

570 шт

Цена от:

от 177,40₽

Акция

FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.19 мДж

Наличие:

601 шт

Внешние склады:

1 170 шт

Цена от:

от 232,38₽

FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

349 Вт

Переключаемая энергия:

870 мкДж

Наличие:

577 шт

Внешние склады:

411 шт

Цена от:

от 174,75₽

FGA60N65SMD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3PN

Наличие:

340 шт

Внешние склады:

93 шт

Цена от:

от 244,53₽

HGTG11N120CND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

43 А

Импульсный ток коллектора макс.:

80 А

Макс. рассеиваемая мощность:

298 Вт

Переключаемая энергия:

950 мкДж

Наличие:

275 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 316,43₽

ISL9V3040S3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

430V

Макс. ток коллектора:

21A

Макс. рассеиваемая мощность:

150W

Наличие:

251 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 160,64₽

HGTG5N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Наличие:

170 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 230,99₽

Акция

FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

165 Вт

Переключаемая энергия:

370 мкДж

Наличие:

114 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 430,83₽

FGPF50N33BT Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А, 43 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

330V

Макс. ток коллектора:

50A

Макс. рассеиваемая мощность:

43W

Наличие:

44 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 162,67₽

FGH40N60SMDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

349 Вт

Переключаемая энергия:

1.3 мДж

Наличие:

41 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 395,76₽

FGH60N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

378 Вт

Переключаемая энергия:

1.79 мДж

Наличие:

36 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1 135,43₽

Акция

FGY40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Наличие:

28 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 693,81₽

SGL160N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 160 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO264

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

160 А

Импульсный ток коллектора макс.:

300 А

Макс. рассеиваемая мощность:

250 Вт

Переключаемая энергия:

2.5 мДж

Наличие:

25 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 847,15₽

AFGHL75T65SQ IGBT, 650V, 75A, 175°C, 375W;

Производитель:

ON Semiconductor

Связаться с инженером по применению

AFGHL75T65SQDT IGBT, AECQ101, 650V, 80A, 175°C, 375W;

Производитель:

ON Semiconductor

Связаться с инженером по применению

AFGY120T65SPD IGBT, 650V, 120A, 175°C, 714W;

Производитель:

ON Semiconductor

Связаться с инженером по применению

AFGY160T65SPD-B4 IGBT SINGLE TRANSISTOR;

Производитель:

ON Semiconductor

Связаться с инженером по применению

FGA15N120ANTDTU_F109 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 186 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

30 А

Импульсный ток коллектора макс.:

45 А

Макс. рассеиваемая мощность:

186 Вт

Переключаемая энергия:

3 мДж

Связаться с инженером по применению