Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

₁₅₆

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (156)

FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

600 Вт

Переключаемая энергия:

1.26 мДж

Наличие:

794 шт

Внешние склады:

1 450 шт

Цена от:

от 211,47₽

Акция

FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.19 мДж

Наличие:

660 шт

Внешние склады:

1 856 шт

Цена от:

от 204,00₽

FGH40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

555 Вт

Переключаемая энергия:

2.7 мДж

Наличие:

613 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 283,11₽

FGA60N65SMD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3PN

Наличие:

424 шт

Внешние склады:

669 шт

Цена от:

от 215,76₽

HGTG11N120CND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

43 А

Импульсный ток коллектора макс.:

80 А

Макс. рассеиваемая мощность:

298 Вт

Переключаемая энергия:

950 мкДж

Наличие:

164 шт

Внешние склады:

5 шт

Цена от:

от 279,20₽

Акция

FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

349 Вт

Переключаемая энергия:

870 мкДж

Наличие:

118 шт

Внешние склады:

874 шт

Аналоги:

100 шт

Цена от:

от 154,10₽

Акция

FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

165 Вт

Переключаемая энергия:

370 мкДж

Наличие:

114 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 374,26₽

FGH60N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

378 Вт

Переключаемая энергия:

1.79 мДж

Наличие:

86 шт

Внешние склады:

10 шт

Цена от:

от 703,69₽

HGTG5N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Наличие:

62 шт

Внешние склады:

130 шт

Цена от:

от 203,82₽

Акция

ISL9V3040S3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

430V

Макс. ток коллектора:

21A

Макс. рассеиваемая мощность:

150W

Наличие:

57 шт

Внешние склады:

40 шт

Цена от:

от 115,00₽

FGH40N60SMDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

349 Вт

Переключаемая энергия:

1.3 мДж

Наличие:

46 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 349,20₽

FGPF50N33BT Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А, 43 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

330V

Макс. ток коллектора:

50A

Макс. рассеиваемая мощность:

43W

Наличие:

46 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 143,53₽

Акция

FGY40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Наличие:

34 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 612,19₽

FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.13 мДж

Наличие:

32 шт

Внешние склады:

320 шт

Цена от:

от 264,14₽

Акция

HGTG10N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Наличие:

14 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 283,29₽

FGPF4633 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F formed lead

Наличие:

10 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 60,52₽

SGL160N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 160 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO264

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

160 А

Импульсный ток коллектора макс.:

300 А

Макс. рассеиваемая мощность:

250 Вт

Переключаемая энергия:

2.5 мДж

Наличие:

2 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 735,91₽

FGL60N100BNTD Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO264

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1000 В

Макс. ток коллектора:

60 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

180 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 шт

Цена от:

от 3 681,40₽

ISL9V3040D3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

430V

Макс. ток коллектора:

21A

Макс. рассеиваемая мощность:

150W

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 353,15₽

AFGHL75T65SQ IGBT, 650V, 75A, 175°C, 375W;

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении