Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

₁₅₆

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (156)

FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

600 Вт

Переключаемая энергия:

1.26 мДж

Наличие:

1 500 шт

Внешние склады:

1 226 шт

Цена от:

от 229,22₽

FGH40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

555 Вт

Переключаемая энергия:

2.7 мДж

Наличие:

439 шт

Внешние склады:

400 шт

Цена от:

от 301,98₽

FGA60N65SMD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3PN

Наличие:

410 шт

Внешние склады:

553 шт

Цена от:

от 230,15₽

ISL9V3040S3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

430V

Макс. ток коллектора:

21A

Макс. рассеиваемая мощность:

150W

Наличие:

271 шт

Внешние склады:

40 шт

Цена от:

от 147,66₽

FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.13 мДж

Наличие:

253 шт

Внешние склады:

206 шт

Цена от:

от 246,17₽

FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

349 Вт

Переключаемая энергия:

870 мкДж

Наличие:

163 шт

Внешние склады:

55 шт

Аналоги:

70 шт

Цена от:

от 295,70₽

Акция

FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

165 Вт

Переключаемая энергия:

370 мкДж

Наличие:

114 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 396,02₽

-5% Акция

FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.19 мДж

Наличие:

87 шт

Внешние склады:

1 910 шт

Цена от:

от 177,47₽

HGTG5N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Наличие:

62 шт

Внешние склады:

130 шт

Цена от:

от 217,40₽

FGH60N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

378 Вт

Переключаемая энергия:

1.79 мДж

Наличие:

56 шт

Внешние склады:

10 шт

Цена от:

от 892,85₽

FGH40N60SMDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

349 Вт

Переключаемая энергия:

1.3 мДж

Наличие:

45 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 372,48₽

FGPF50N33BT Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А, 43 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

330V

Макс. ток коллектора:

50A

Макс. рассеиваемая мощность:

43W

Наличие:

44 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 153,10₽

Акция

FGY40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Наличие:

28 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 653,00₽

FGL40N120ANDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-264

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200V

Макс. ток коллектора:

64A

Макс. рассеиваемая мощность:

500W

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 шт

Цена от:

от 2 145,24₽

HGTG20N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

70 А

Импульсный ток коллектора макс.:

280 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

105 мкДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 шт

Цена от:

от 1 247,15₽

ISL9V3040D3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

430V

Макс. ток коллектора:

21A

Макс. рассеиваемая мощность:

150W

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 353,15₽

AFGHL75T65SQ IGBT, 650V, 75A, 175°C, 375W;

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

AFGHL75T65SQDT IGBT, AECQ101, 650V, 80A, 175°C, 375W;

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

AFGY120T65SPD IGBT, 650V, 120A, 175°C, 714W;

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

AFGY160T65SPD-B4 IGBT SINGLE TRANSISTOR;

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении