Одиночные IGBT транзисторы

82
Корпус: TO220F
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (82)
IRG4BC20UDPBF IRG4BC20UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6.5 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
IRG4BC30FPBF IRG4BC30FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
31 А
Импульсный ток коллектора макс.:
124 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
230 мкДж
IRG4BC30SPBF IRG4BC30SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 34 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
34 А
Импульсный ток коллектора макс.:
68 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
260 мкДж
Акция
IRG4BC30UDPBF IRG4BC30UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
380 мкДж
Акция
IRG4BC40FPBF IRG4BC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
49 А
Импульсный ток коллектора макс.:
196 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
IRG4IBC10UDPBF IRG4IBC10UDPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 6.8A 25Вт TO220FP
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
6.8A
Импульсный ток коллектора макс.:
27A
Макс. рассеиваемая мощность:
25W
Переключаемая энергия:
140 µJ (on), 120 µJ (off)
IRG4IBC30KDPBF IRG4IBC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
17 А
Импульсный ток коллектора макс.:
34 А
Макс. рассеиваемая мощность:
45 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
IRG4IBC30UDPBF IRG4IBC30UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
17 А
Импульсный ток коллектора макс.:
68 А
Макс. рассеиваемая мощность:
45 Вт
Переключаемая энергия:
380 мкДж
IRG4IBC30WPBF IRG4IBC30WPBF IGBT 600V 17A 45W TO220FP
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
IRGB30B60KPBF IRGB30B60KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
78 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
370 Вт
Переключаемая энергия:
350 мкДж
IRGB4045DPBF IRGB4045DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
12 А
Импульсный ток коллектора макс.:
18 А
Макс. рассеиваемая мощность:
77 Вт
Переключаемая энергия:
56 мкДж
IRGIB10B60KD1P IRGIB10B60KD1P Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 44 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
16A
Импульсный ток коллектора макс.:
32A
Макс. рассеиваемая мощность:
44W
Переключаемая энергия:
156 µJ (on), 165 µJ (off)
IRGIB15B60KD1P IRGIB15B60KD1P Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 19 А, 52 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
19 А
Импульсный ток коллектора макс.:
38 А
Макс. рассеиваемая мощность:
52 Вт
Переключаемая энергия:
127 мкДж
IRGIB6B60KDPBF IRGIB6B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 38 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
38 Вт
Переключаемая энергия:
110 мкДж
ISL9V3040P3 ISL9V3040P3 Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
430V
Макс. ток коллектора:
21A
Макс. рассеиваемая мощность:
150W
-5% Акция
RJH30H1DPP RJH30H1DPP Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
360V
Макс. ток коллектора:
30A
Макс. рассеиваемая мощность:
40W
Акция
RJP3065DPP RJP3065DPP Биполярный транзистор IGBT, 320 В, 40 А, 30 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
Акция
RJP30E2DPP RJP30E2DPP Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А, 25 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
RJP30H1DPP-M0 RJP30H1DPP-M0 Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
RJP43F4ADPP RJP43F4ADPP Биполярный транзистор IGBT, 30 Вт, 430 В, 40 А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"