Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (684)
STGW28IH125DF IGBT 1250V 60A 375W TO-247 Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1250V Макс. ток коллектора: 60A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 375W Переключаемая энергия: 720 µJ (off)
Акция STGW30N120KD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STGW30NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 220 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 220 Вт Переключаемая энергия: 1.66 мДж
STGW30NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 125 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 350 мкДж
STGW35HF60WDA Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 35 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 290 мкДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
90 шт
Цена от:
от 202,76
STGW35NB60SD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 250 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 840 мкДж
STGW40H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 468 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 468 Вт Переключаемая энергия: 1 мДж
STGW40H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 283W Переключаемая энергия: 363 мкДж
STGW40H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 498 мкДж
STGW40N120KD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 240 Вт Переключаемая энергия: 3.7 мДж
STGW40NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 38 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 595 мкДж
Акция STGW40NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 250 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 230 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 302 мкДж
STGW40S120DF3 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 486 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
Акция STGW40V60DLF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 283W Переключаемая энергия: 411 мкДж
STGW40V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 456 мкДж
STGW45HF60WDA Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STGW45HF60WDB Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STGW45HF60WDC Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
Акция STGW45NC60VDC Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 270 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
Акция STGW50HF60SD Биполярный транзистор IGBT, 1 КГц, 60 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"