Одиночные IGBT транзисторы

₂₀₂

Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (202)

SGL160N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 160 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO264

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

160 А

Импульсный ток коллектора макс.:

300 А

Макс. рассеиваемая мощность:

250 Вт

Переключаемая энергия:

2.5 мДж

Наличие:

25 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 864,26₽

-5% Акция

IRG4PC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

60 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

160 Вт

Переключаемая энергия:

450 мкДж

Наличие:

24 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 502,25₽

Акция

IRG4BC20FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 60 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

16 А

Импульсный ток коллектора макс.:

64 А

Макс. рассеиваемая мощность:

60 Вт

Переключаемая энергия:

250 мкДж

Наличие:

22 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 163,08₽

-5% Акция

IRG4BC30KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

28 А

Импульсный ток коллектора макс.:

58 А

Макс. рассеиваемая мощность:

100 Вт

Переключаемая энергия:

360 мкДж

Наличие:

14 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 255,32₽

-5% Акция

AUIRGR4045D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-252AA

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

12 А

Импульсный ток коллектора макс.:

18 А

Макс. рассеиваемая мощность:

77 Вт

Переключаемая энергия:

56 мкДж

Наличие:

11 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 276,37₽

IRGB20B60PD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 215 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

80 А

Макс. рассеиваемая мощность:

215 Вт

Переключаемая энергия:

95 мкДж

Наличие:

9 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 480,17₽

-5% Акция

IRGB4607DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

11 А

Импульсный ток коллектора макс.:

12 А

Макс. рассеиваемая мощность:

58 Вт

Переключаемая энергия:

140 мкДж

Наличие:

8 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 40,65₽

Акция

IRGP4066D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 140 А, 454 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AD

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

140 А

Импульсный ток коллектора макс.:

225 А

Макс. рассеиваемая мощность:

454 Вт

Переключаемая энергия:

2.47 мДж

Наличие:

1 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1 861,72₽

AUIRGP4063D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

100 А

Импульсный ток коллектора макс.:

144 А

Макс. рассеиваемая мощность:

330 Вт

Переключаемая энергия:

625 мкДж

Связаться с инженером по применению

AUIRGP50B60PD1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

75 А

Импульсный ток коллектора макс.:

150 А

Макс. рассеиваемая мощность:

390 Вт

Переключаемая энергия:

255 мкДж

Связаться с инженером по применению

AUIRGP50B60PD1E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AD

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

75 А

Импульсный ток коллектора макс.:

150 А

Макс. рассеиваемая мощность:

390 Вт

Переключаемая энергия:

255 мкДж

Связаться с инженером по применению

FGA60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 298 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

298 Вт

Переключаемая энергия:

1.81 мДж

Связаться с инженером по применению

FGB20N60SF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 208 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

208 Вт

Переключаемая энергия:

370 мкДж

Связаться с инженером по применению

FGD3N60LSDTM Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А, 40 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

6 А

Импульсный ток коллектора макс.:

25 А

Макс. рассеиваемая мощность:

40 Вт

Переключаемая энергия:

250 мкДж

Связаться с инженером по применению

FGH30N60LSDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 480 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

60 А

Импульсный ток коллектора макс.:

90 А

Макс. рассеиваемая мощность:

480 Вт

Переключаемая энергия:

1.1 мДж

Связаться с инженером по применению

FGH40N60SFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.13 мДж

Связаться с инженером по применению

FGH40N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.19 мДж

Связаться с инженером по применению

FGH50N6S2D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 463 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

75 А

Импульсный ток коллектора макс.:

240 А

Макс. рассеиваемая мощность:

463 Вт

Переключаемая энергия:

260 мкДж

Связаться с инженером по применению

FGH75N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 452 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

150 А

Импульсный ток коллектора макс.:

225 А

Макс. рассеиваемая мощность:

452 Вт

Переключаемая энергия:

3.05 мДж

Связаться с инженером по применению

FGP10N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 139 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

20 А

Импульсный ток коллектора макс.:

30 А

Макс. рассеиваемая мощность:

139 Вт

Переключаемая энергия:

150 мкДж

Связаться с инженером по применению

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"