Одиночные IGBT транзисторы

202
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (202)
-6% Акция
IRG4BC30KPBF IRG4BC30KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
28 А
Импульсный ток коллектора макс.:
58 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
360 мкДж
Наличие:
20 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 212,61
-6% Акция
AUIRGR4045D AUIRGR4045D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
12 А
Импульсный ток коллектора макс.:
18 А
Макс. рассеиваемая мощность:
77 Вт
Переключаемая энергия:
56 мкДж
Наличие:
11 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 230,14
Новинка
SGL160N60UFDTU SGL160N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 160 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
160 А
Импульсный ток коллектора макс.:
300 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
2.5 мДж
Наличие:
7 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 695,46
-6% Акция
IRGPS46160DPBF IRGPS46160DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 240 А, 750 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
240 А
Импульсный ток коллектора макс.:
360 А
Макс. рассеиваемая мощность:
750 Вт
Переключаемая энергия:
5.75 мДж
Наличие:
4 шт

Внешние склады:
6 шт
Цена от:
от 1 480,11
-6% Акция
IRGS4056DPBF IRGS4056DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 140 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
24 А
Импульсный ток коллектора макс.:
48 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
75 мкДж
Наличие:
4 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 164,29
STGP19NC60HD STGP19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 130 Вт, 21 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
130 Вт
Переключаемая энергия:
85 мкДж
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
520 шт
Цена от:
от 164,06
IRG4PC40KDPBF IRG4PC40KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 42 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
42 А
Импульсный ток коллектора макс.:
84 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
950 мкДж
Наличие:
1 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 213,50
STGW19NC60HD STGW19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 21 А, 600 В, 140W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
42 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
85 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 шт
Цена от:
от 670,66
STGW30H60DFB STGW30H60DFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 260 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
260 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
309 шт
Цена от:
от 570,27
AUIRGP4063D AUIRGP4063D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
144 А
Макс. рассеиваемая мощность:
330 Вт
Переключаемая энергия:
625 мкДж
AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
390 Вт
Переключаемая энергия:
255 мкДж
AUIRGP50B60PD1E AUIRGP50B60PD1E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
390 Вт
Переключаемая энергия:
255 мкДж
FGA60N60UFDTU FGA60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
1.81 мДж
FGB20N60SF FGB20N60SF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 208 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А, 40 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
6 А
Импульсный ток коллектора макс.:
25 А
Макс. рассеиваемая мощность:
40 Вт
Переключаемая энергия:
250 мкДж
FGH30N60LSDTU FGH30N60LSDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 480 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
480 Вт
Переключаемая энергия:
1.1 мДж
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.13 мДж
FGH40N60UFTU FGH40N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.19 мДж
FGH50N6S2D FGH50N6S2D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
463 Вт
Переключаемая энергия:
260 мкДж
FGH75N60UFTU FGH75N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 452 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
150 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
452 Вт
Переключаемая энергия:
3.05 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"