Одиночные IGBT транзисторы

131
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (131)
STGF10M65DF2 STGF10M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGF15M65DF2 STGF15M65DF2 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 30A 31Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGF20M65DF2 STGF20M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650V,20A low loss
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 IGBT, 650V, 60A, 175°C, 38W;
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG IGBT, 650V, 60A, 260W;
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGHU30M65DF2AG STGHU30M65DF2AG IGBT, SINGLE, 650V, 84A, HU3PAK;
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGSB200M65DF2AG STGSB200M65DF2AG IGBT, 650V, 216A, 714W;
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGW30M65DF2 STGW30M65DF2 TRANSISTOR, IGBT, 650V, 60A, TO-247;
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
283 Вт
Переключаемая энергия:
498 мкДж
STGW40H65FB STGW40H65FB TRANSISTOR, IGBT, 650V, 80A, TO-247;
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGW60H65DF STGW60H65DF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 360 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
360 Вт
Переключаемая энергия:
1.5 мДж
STGW60H65DFB STGW60H65DFB IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247-3; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pin
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGW60H65DFB-4 STGW60H65DFB-4 IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Акция
STGW60H65DRF STGW60H65DRF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 420 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
420 Вт
Переключаемая энергия:
940 мкДж
STGW60H65F STGW60H65F Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 360 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
360 Вт
Переключаемая энергия:
750 мкДж
Новинка
STGWA20H65DFB2 STGWA20H65DFB2 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 40A 147Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGWA30HP65FB2 STGWA30HP65FB2 Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGWA40H65DFB STGWA40H65DFB Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGWA40HP65FB2 STGWA40HP65FB2 IGBT, SINGLE, 650V, 72A, TO-247-3; DC Collector Current:72A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.55V; Power Dissipation Pd:227W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pi
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
STGWA50HP65FB2 STGWA50HP65FB2 IGBT, 650V, 86A, 272W, TO-247LL;
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"