Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

357
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (357)
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 75A с защитным диодом TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3
IKW75N65ES5 IKW75N65ES5 Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) Trenchstop 5 IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6XKSA1 IGBT, 1.2KV, 80A, 500W, TO-247; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:500W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins
Производитель:
Infineon Technologies
IKY75N120CH3XKSA1 IKY75N120CH3XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 75А 18...60кГц PG-TO247-4-2
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247
IRG4BC10KDPBF IRG4BC10KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 9 А, 38 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
IRG4BC20KDPBF IRG4BC20KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
32 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
340 мкДж
IRG4BC20UD-SPBF IRG4BC20UD-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
13 А
Импульсный ток коллектора макс.:
52 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
IRG4BC20UDPBF IRG4BC20UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6.5 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
IRG4BC20UPBF IRG4BC20UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Акция
IRG4BC30FD-SPBF IRG4BC30FD-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
31 А
Импульсный ток коллектора макс.:
124 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
630 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
60 шт
Цена от:
от 278,05
IRG4BC30FD1PBF IRG4BC30FD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
IRG4BC30FPBF IRG4BC30FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
31 А
Импульсный ток коллектора макс.:
124 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
230 мкДж
IRG4BC30KD-SPBF IRG4BC30KD-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
28 А
Импульсный ток коллектора макс.:
56 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
IRG4BC30KDSTRLP IRG4BC30KDSTRLP IGBT 600V 28A 100W D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
IRG4BC30SPBF IRG4BC30SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 34 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
34 А
Импульсный ток коллектора макс.:
68 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
260 мкДж
Акция
IRG4BC30UDPBF IRG4BC30UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
380 мкДж
IRG4BC30W-SPBF IRG4BC30W-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
130 мкДж
IRG4BC30W-STRLP IRG4BC30W-STRLP Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Акция
IRG4BC40FPBF IRG4BC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
49 А
Импульсный ток коллектора макс.:
196 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
IRG4BC40UPBF IRG4BC40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"