Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

357
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (357)
IRG4BH20K-LPBF IRG4BH20K-LPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 11A 60Вт 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
11A
Импульсный ток коллектора макс.:
22A
Макс. рассеиваемая мощность:
60W
Переключаемая энергия:
450 µJ (on), 440 µJ (off)
IRG4BH20K-SPBF IRG4BH20K-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
IRG4BH20K-STRLP IRG4BH20K-STRLP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
IRG4IBC10UDPBF IRG4IBC10UDPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 6.8A 25Вт TO220FP
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
6.8A
Импульсный ток коллектора макс.:
27A
Макс. рассеиваемая мощность:
25W
Переключаемая энергия:
140 µJ (on), 120 µJ (off)
Акция
IRG4IBC20UDPBF IRG4IBC20UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11.4 А, 34 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11.4 А
Импульсный ток коллектора макс.:
52 А
Макс. рассеиваемая мощность:
34 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
IRG4IBC30KDPBF IRG4IBC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
17 А
Импульсный ток коллектора макс.:
34 А
Макс. рассеиваемая мощность:
45 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
IRG4IBC30UDPBF IRG4IBC30UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
17 А
Импульсный ток коллектора макс.:
68 А
Макс. рассеиваемая мощность:
45 Вт
Переключаемая энергия:
380 мкДж
IRG4IBC30WPBF IRG4IBC30WPBF IGBT 600V 17A 45W TO220FP
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
IRG4P254S IRG4P254S Биполярный транзистор IGBT, 250 В, 98 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
250 В
Макс. ток коллектора:
98 А
Импульсный ток коллектора макс.:
196 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
380 мкДж
IRG4PC30FDPBF IRG4PC30FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
31 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
630 мкДж
IRG4PC30FPBF IRG4PC30FPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 31A 100Вт TO247AC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
31A
Импульсный ток коллектора макс.:
120A
Макс. рассеиваемая мощность:
100W
Переключаемая энергия:
230 µJ (on), 1.18mJ (off)
IRG4PC30KDPBF IRG4PC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
28 А
Импульсный ток коллектора макс.:
58 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
IRG4PC30SPBF IRG4PC30SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 34 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
34 А
Импульсный ток коллектора макс.:
68 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
260 мкДж
IRG4PC30UDPBF IRG4PC30UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
380 мкДж
Акция
IRG4PC30UPBF IRG4PC30UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
Акция
IRG4PC40FDPBF IRG4PC40FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 27 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
49 А
Импульсный ток коллектора макс.:
196 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
950 мкДж
IRG4PC40UDPBF IRG4PC40UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
710 мкДж
Акция
IRG4PC40UPBF IRG4PC40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
Акция
IRG4PC40WPBF IRG4PC40WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
110 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
215 шт
Цена от:
от 255,12
Акция
IRG4PC50FDPBF IRG4PC50FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
280 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.5 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"