Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (355)
IRGS14C40LTRLP Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 14 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263)
Наличие:
7 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 473,19
IRGS4056DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 140 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 24 А Импульсный ток коллектора макс.: 48 А Макс. рассеиваемая мощность: 140 Вт Переключаемая энергия: 75 мкДж
Наличие:
40 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 236,94
IRGS4607DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 12 А Макс. рассеиваемая мощность: 58 Вт Переключаемая энергия: 140 мкДж
Наличие:
4 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 49,60
IRGS4620DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 32 А Импульсный ток коллектора макс.: 36 А Макс. рассеиваемая мощность: 140 Вт Переключаемая энергия: 75 мкДж
Наличие:
99 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 259,31
SGP02N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 6.2 А Импульсный ток коллектора макс.: 9.6 А Макс. рассеиваемая мощность: 62 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж
Наличие:
15 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 553,34
SGW25N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 46 А Импульсный ток коллектора макс.: 84 А Макс. рассеиваемая мощность: 313 Вт Переключаемая энергия: 3.7 мДж
Наличие:
27 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2 012,73
SGW30N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 41A Макс. рассеиваемая мощность: 250W
Наличие:
11 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 392,55
SKW25N120FK Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 46 А Импульсный ток коллектора макс.: 84 А Макс. рассеиваемая мощность: 313 Вт Переключаемая энергия: 3.7 мДж
Наличие:
22 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 752,31
AIKP20N60CTAKSA1 Производитель: Infineon Technologies
AIKW50N65DF5 Биполярный транзистор IGBT, 650В 80А 270Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 270W
AIKW75N60CTXKSA1 Производитель: Infineon Technologies
AUIRG4BC30S-S IGBT 600V 34A 100W D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 34A Импульсный ток коллектора макс.: 68A Макс. рассеиваемая мощность: 100W Переключаемая энергия: 260 µJ (on), 3.45mJ (off)
AUIRGDC0250 IGBT 1200V 141A 543W TO-220 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SUPER-220[тм] (TO-273AA)
AUIRGP35B60PD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
AUIRGP35B60PD-E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
AUIRGP4062D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 48A Макс. рассеиваемая мощность: 250W
AUIRGP50B60PD1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 255 мкДж
AUIRGP50B60PD1E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 255 мкДж
AUIRGPS4070D0 Производитель: Infineon Technologies
AUIRGS30B60K Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"