Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor
156
Производитель:
ON Semiconductor
Акция
HGTP14N36GVL
Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 14 А, 100 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
HGTP20N60A4
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
HGTP5N120BND
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
ISL9V2040D3ST
Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 10 А, 130 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
ISL9V3040P3
Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
ISL9V3040S3ST-F085C
IGBT, AEC-Q101, 420V, 21A, TO-263; DC Collector Current:21A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.25V; Power Dissipation Pd:150W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:420V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pi
Производитель:
ON Semiconductor
ISL9V5036S3ST
Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 46 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
ISL9V5045S3ST
Биполярный транзистор IGBT, 480 В, 51 А, 300 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
NGTB03N60R2DT4G
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 49000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Производитель:
ON Semiconductor
NGTB15N60S1EG
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
NGTB20N135IHRWG
Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 394 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
NGTB25N120FL3WG
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 100A, TO-247-3; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:349W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of
Производитель:
ON Semiconductor
NGTB30N120IHSWG
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
NGTB35N65FL2WG
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 70 А, 300 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Сообщите мне о поступлении товара