Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (130)
STGB10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 115 Вт Переключаемая энергия: 83 мкДж
Акция STGB10NB37LZ Биполярный транзистор IGBT, 375 В, 20 А, 125 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263
STGB14NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 80 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 25 А Импульсный ток коллектора макс.: 50 А Макс. рассеиваемая мощность: 80 Вт Переключаемая энергия: 82 мкДж
STGB15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 115 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263
STGB19NC60HDT4 IGBT 600V 40A 130W D2PAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 130W Переключаемая энергия: 85 µJ (on), 189 µJ (off)
STGB20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 209 мкДж
STGB20N40LZ Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 25 А, 150 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 390 В Макс. ток коллектора: 25 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 150 Вт
Акция STGB20NB37LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 425 В, 40 А, 200 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263)
STGB20NB41LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 442 В, 40 А, 200 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 442 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 5 мДж
STGB20NC60V IGBT 600V 60A 200W D2PAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263
STGB20V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 200 мкДж
STGB30H60DFB Производитель: ST Microelectronics
STGB30H60DLLFBAG Производитель: ST Microelectronics
STGB30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 258 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж
STGB3NC120HDT4 IGBT 1200V 14A 75W D2PAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: DВІPAK Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 14A Импульсный ток коллектора макс.: 20A Макс. рассеиваемая мощность: 75W Переключаемая энергия: 236 µJ (on), 290 µJ (off)
Акция STGB7NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 25 А Импульсный ток коллектора макс.: 50 А Макс. рассеиваемая мощность: 80 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж
STGB8NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 8 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 65 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж
STGD10HF60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 18 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA
STGD10NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 62 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 62 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж
Акция STGD14NC60KT4 Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 25 А Макс. рассеиваемая мощность: 80 Вт Переключаемая энергия: 82 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"