Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

173
Производитель: ST Microelectronics
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (173)
Акция
STGW40NC60WD STGW40NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 250 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
230 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
302 мкДж
STGW40S120DF3 STGW40S120DF3 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 486 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STGW40V60F STGW40V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
283 Вт
Переключаемая энергия:
456 мкДж
STGW45HF60WDA STGW45HF60WDA Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STGW45HF60WDB STGW45HF60WDB Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STGW45HF60WDC STGW45HF60WDC Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Акция
STGW45NC60VDC STGW45NC60VDC Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 270 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Акция
STGW50HF60SD STGW50HF60SD Биполярный транзистор IGBT, 1 КГц, 60 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STGW60H60DLFB STGW60H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
375W
Переключаемая энергия:
626 мкДж
STGW60H65DF STGW60H65DF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 360 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
360 Вт
Переключаемая энергия:
1.5 мДж
STGW60H65DFB STGW60H65DFB IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247-3; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pin
Производитель:
ST Microelectronics
Акция
STGW60H65DRF STGW60H65DRF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 420 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
420 Вт
Переключаемая энергия:
940 мкДж
STGW60H65F STGW60H65F Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 360 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
360 Вт
Переключаемая энергия:
750 мкДж
STGW60H65FB
Производитель:
ST Microelectronics
STGW60V60F STGW60V60F Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 80A 375Вт TO247
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
240A
Макс. рассеиваемая мощность:
375W
Переключаемая энергия:
750 µJ (on), 550 µJ (off)
STGW8M120DF3 STGW8M120DF3 IGBT, SINGLE, 1200V, 16A, TO-247-3; DC Collector Current:16A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:167W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of
Производитель:
ST Microelectronics
STGWA15M120DF3 STGWA15M120DF3 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STGWA25H120DF2 STGWA25H120DF2 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STGWA40H120DF2 STGWA40H120DF2 Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Производитель:
ST Microelectronics
STGWA40H120F2 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"