IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 IGBT, 650 V, 50A FIELD STOP 4 TRENCH;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 229,32
FGH75T65SHD-F155 FGH75T65SHD-F155 IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 237,83
FGH75T65SHDT-F155 FGH75T65SHDT-F155 Bipolar transistors with insulated gate (IGBT) 650V FS3 Trench IGBT
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 397,09
FGH75T65SHDTL4 FGH75T65SHDTL4 FS3 T IGBT 75A 650V 4L
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 310,98
FGH75T65SQDT-F155 FGH75T65SQDT-F155 FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V/150A, TO247; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 228,60
FGH75T65UPD FGH75T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 150 А, 375 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
150 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
2.85 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 399,17
FGHL40T65MQDT FGHL40T65MQDT TRANSISTOR, IGBT, 650V, 60A, TO-247;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
330 шт
Цена от:
от 336,01
FGL60N100BNTDTU FGL60N100BNTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
180 Вт
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
849 шт
Цена от:
от 1 049,28
FGP20N60UFDTU FGP20N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
943 шт
Цена от:
от 128,42
FGW40N120HD IGBT 40A 1200V HIGH-SPEED V SERIES TO249
Производитель:
Fujitsu Limited
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 462,28
FGW40XS120C 351W 1.2kV TO-247 Single IGBTs RoHS
Производитель:
Fujitsu Limited
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 254,02
FGW75N65WE 520W 650V TO-247 Single IGBTs RoHS
Производитель:
Fujitsu Limited
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
415 шт
Цена от:
от 351,10
FGW75XS120C TO-247 Single IGBTs RoHS
Производитель:
Fujitsu Limited
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
330 шт
Цена от:
от 441,80
FGW75XS65C TO-247 Single IGBTs RoHS
Производитель:
Fujitsu Limited
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 331,14
FGW75XS65D TO-247 Single IGBTs RoHS
Производитель:
Fujitsu Limited
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
420 шт
Цена от:
от 360,56
FGY100T120RWD FGY100T120RWD IGBT, 1.43V, 200A, TO-247;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
120 шт
Цена от:
от 952,31
FGY100T120SWD 866W 1.2kV FS (Field Stop) TO-247-3LD Single IGBTs RoHS
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 638,49
Акция
FGY40T120SMD FGY40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Наличие:
34 шт

Внешние склады:
120 шт
Цена от:
от 692,95
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 622,06
FGY75T120SWD FGY75T120SWD IGBT, 1.68V, 150A, TO-247;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 439,19
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"