FGL60N100BNTDTU, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт

Код товара: 197953

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FGL60N100BNTDTU
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1000V 60A 180W TO264
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
25 шт
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
180 Вт

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1000 В

Макс. ток коллектора

60 А

Импульсный ток коллектора макс.

120 А

Макс. рассеиваемая мощность

180 Вт

Корпус

TO264

Вес брутто

12.408 г.

Описание FGL60N100BNTDTU

Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

FGL60N100BNTD Полный аналог Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт Производитель: ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Под заказ:
2 шт
Цена от:
от 3 284,52

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FGL60N100BNTDTU , Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.