IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,48
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
CM200DY-12NF CM200DY-12NF Биполярный транзистор IGBT, 200A, 600V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Полумост
Напряжение коллектор-эмиттер:
600В
Ток коллектора:
200А
Максимальная мощность:
650 Вт
Входная емкость:
30 нФ
Наличие термистора:
нет
CM200DY-24A CM200DY-24A Биполярный транзистор IGBT, 200A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Полумост
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
200А
Максимальная мощность:
1340 Вт
Входная емкость:
35 нФ
Наличие термистора:
нет
CM200DY-24NF CM200DY-24NF Биполярный транзистор IGBT, 200A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Полумост
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
200А
Максимальная мощность:
1130 Вт
Входная емкость:
47 нФ
Наличие термистора:
нет
CM200DY-34T
Производитель:
Mitsubishi Electric
CM200RL-12NF CM200RL-12NF Биполярный транзистор IGBT, 200A, 600V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Трехфазный инвертер
Напряжение коллектор-эмиттер:
600В
Ток коллектора:
200А
Максимальная мощность:
890 Вт
Входная емкость:
30 нФ
Наличие термистора:
нет
CM200RL-24NF CM200RL-24NF Биполярный транзистор IGBT, 200A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Трехфазный инвертер
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
200А
Максимальная мощность:
1160 Вт
Входная емкость:
35 нФ
Наличие термистора:
нет
CM300DU-24NFH CM300DU-24NFH Биполярный транзистор IGBT, 300A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
CM300DU-24NFH
Производитель:
Mitsubishi Electric
CM300DX-24S Модуль IGBT CM300DX-24S MIT
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Half Bridge
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
300А
Максимальная мощность:
2270W
Входная емкость:
30nF @ 10V
CM300DX-24S1 IGBT MOD NX 300A 1200V DUAL
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Half Bridge
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
300А
Максимальная мощность:
1850W
Входная емкость:
30nF @ 10V
CM300DXP-34T
Производитель:
Mitsubishi Electric
CM300DY-12NF Модуль силовой IGBT сдвоенный 600В 300А 7 выводов
Производитель:
Mitsubishi Electric
CM300DY-12NF IGBT MOD DUAL 600V 300A NF SER
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
CM300DY-24A CM300DY-24A Биполярный транзистор IGBT, 300A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
CM300DY-24A
Производитель:
Mitsubishi Electric
CM300DY-24NF CM300DY-24NF Биполярный транзистор IGBT, 300A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Полумост
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
300А
Максимальная мощность:
1130 Вт
Входная емкость:
70 нФ
Наличие термистора:
нет
CM300DY-34A CM300DY-34A Модуль IGBT CM300DY-34A MIT
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Half Bridge
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Ток коллектора:
300А
Максимальная мощность:
2900W
Входная емкость:
74nF @ 10V
Наличие термистора:
нет
CM300DY-34T CM300DY-34T Биполярный транзистор IGBT, 300A, 1700V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
300А
CM300HA-24H CM300HA-24H Биполярный транзистор IGBT, 300A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Однофазный
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
300А
Максимальная мощность:
2100 Вт
Входная емкость:
60 нФ
Наличие термистора:
нет
CM400DY-12NF CM400DY-12NF Биполярный транзистор IGBT, 400A, 600V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Полумост
Напряжение коллектор-эмиттер:
600В
Ток коллектора:
400А
Максимальная мощность:
1130 Вт
Входная емкость:
60 нФ
Наличие термистора:
нет
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"