IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,48
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
CM400DY-24NF CM400DY-24NF Биполярный транзистор IGBT, 400A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Полумост
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
400А
Максимальная мощность:
1470 Вт
Входная емкость:
94 нФ
Наличие термистора:
нет
CM400DY-34T
Производитель:
Mitsubishi Electric
CM400DY-66H CM400DY-66H Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Mitsubishi Electric
CM400HA-24A
Производитель:
Mitsubishi Electric
CM400HA-24A#300G CM400HA-24A#300G Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Mitsubishi Electric
CM400HU-24F CM400HU-24F Биполярный транзистор IGBT, 400A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
CM450DX-24S1 CM450DX-24S1 Биполярный транзистор IGBT, 1200V, 450A
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
450А
CM450DX-24S1 IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3
Производитель:
Mitsubishi Electric
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 935 шт
Цена от:
от 1 601,21
CM450DX-24T1 IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3
Производитель:
Mitsubishi Electric
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 935 шт
Цена от:
от 1 601,21
CM450DX-34T#311G IGBT модуль 1700В 450А
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
CM450DXP-24T1 IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3
Производитель:
Mitsubishi Electric
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 935 шт
Цена от:
от 1 601,21
CM450DXP-34T IGBT модуль 1700В, 450A, econo dual 3
Производитель:
Mitsubishi Electric
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 442 шт
Цена от:
от 4 286,21
CM450DY-24T
Производитель:
Mitsubishi Electric
CM450HA-5F CM450HA-5F Биполярный транзистор IGBT, 450A, 250V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Однофазный
Напряжение коллектор-эмиттер:
250В
Ток коллектора:
450А
Максимальная мощность:
735 Вт
Входная емкость:
132 нФ
Наличие термистора:
нет
CM50BU-24H CM50BU-24H Биполярный транзистор IGBT, 50A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Полный мост Inverter
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
50А
Максимальная мощность:
400 Вт
Входная емкость:
7.5 нФ
Наличие термистора:
нет
CM50MXA-24S CM50MXA-24S Биполярный транзистор IGBT, 1200V, 50A
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Трехфазный инвертер
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
50А
Максимальная мощность:
355 Вт
Входная емкость:
5 нФ
Наличие термистора:
да
CM50RL-24NF IGBT MOD 7PAC 1200V 50A NF SER
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Three Phase Inverter with Brake
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
50А
Максимальная мощность:
390W
Входная емкость:
8.5nF @ 10V
Наличие термистора:
нет
CM600DU-24NF CM600DU-24NF Биполярный транзистор IGBT, 600A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Полумост
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
600А
Максимальная мощность:
2080 Вт
Входная емкость:
140 нФ
Наличие термистора:
нет
CM600DX-24S1 IGBT MOD NX 600A 1200V DUAL
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Half Bridge
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
600А
Максимальная мощность:
3330W
Входная емкость:
50nF @ 10V
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
52 шт
Цена от:
от 9 522,95
CM600DX-24T CM600DX-24T Модуль IGBT силовой сдвоенный 1200В 600А
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
600А
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
52 шт
Цена от:
от 9 522,95
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"