IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IGW20N60H3FKSA1
Наличие:
235 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 385,43
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
146 шт
Под заказ:
1 420 шт
Цена от: 121,33
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 2 095,73
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
20 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 573,30
Новинка
DG40X12T2
Наличие:
42 шт
Под заказ:
3 764 шт
Цена от: 286,45
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
192 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 97,93
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(1223)
IRGS4615DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 99 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
IRGS6B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А, 90 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 13 А Импульсный ток коллектора макс.: 26 А Макс. рассеиваемая мощность: 90 Вт Переключаемая энергия: 110 мкДж
IRGS8B60KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 167 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 28 А Импульсный ток коллектора макс.: 34 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 160 мкДж
IRGSL4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 48 А Импульсный ток коллектора макс.: 96 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж
ISL9V2040D3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 10 А, 130 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 10A Макс. рассеиваемая мощность: 130W
ISL9V3040D3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 21A Макс. рассеиваемая мощность: 150W
ISL9V3040P3 Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 21A Макс. рассеиваемая мощность: 150W
ISL9V3040S3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 21A Макс. рассеиваемая мощность: 150W
ISL9V5036S3ST Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 46 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 390V Макс. ток коллектора: 46A Макс. рассеиваемая мощность: 250W
ISL9V5045S3ST Биполярный транзистор IGBT, 480 В, 51 А, 300 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 480V Макс. ток коллектора: 51A Макс. рассеиваемая мощность: 300W
IXA37IF1200HJ IGBT 1200V 58A 195W TO247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: MAX247
IXBF32N300 Trans IGBT Chip N-CH 3000V 40A 160000mW Производитель: IXYS Corporation Корпус: ISOPLUS i4-PAC[тм]
IXBH42N170 IGBT 1700V 80A 360W TO247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD
IXBH42N170A IGBT 1700V 80A 360W TO247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD
IXBH9N160G Биполярный транзистор IGBT 1600В 9А 100Вт TO247AD Производитель: Littelfuse Корпус: TO-247AD
IXBT42N170 IGBT 1700V 80A 360W TO268 Производитель: Littelfuse Корпус: TO-268 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1700V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 300A Макс. рассеиваемая мощность: 360W
IXBX75N170 IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: PLUS247[тм]-3
IXGA20N120A3 IGBT 1200V 40A 180W TO263 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXGA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 180W Переключаемая энергия: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
IXGH32N170 IGBT 1700V 75A 350W TO247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1700V Макс. ток коллектора: 75A Импульсный ток коллектора макс.: 200A Макс. рассеиваемая мощность: 350W Переключаемая энергия: 11mJ (off)
IXGH32N170A Биполярный транзистор IGBT, 1700 В, 32 А, 350 Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1700 В Макс. ток коллектора: 32 А Импульсный ток коллектора макс.: 110 А Макс. рассеиваемая мощность: 350 Вт Переключаемая энергия: 1.5 мДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"