IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IGW20N60H3FKSA1
Наличие:
235 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 385,43
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
146 шт
Под заказ:
1 420 шт
Цена от: 121,33
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 2 095,73
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
20 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 573,30
Новинка
DG40X12T2
Наличие:
42 шт
Под заказ:
3 764 шт
Цена от: 286,45
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
192 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 97,93
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(1223)
IRGP4660D-EPBF IGBT 600V 100A 330W TO247AD Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 100A Импульсный ток коллектора макс.: 144A Макс. рассеиваемая мощность: 330W Переключаемая энергия: 625 µJ (on), 1.28mJ (off)
IRGP50B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 370 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 370 Вт Переключаемая энергия: 360 мкДж
IRGP6630DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 47 А, 192 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
IRGP6640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 53 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 53 А Импульсный ток коллектора макс.: 72 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 300 мкДж
Акция IRGP6660DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 95 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 95 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж
Акция IRGPS40B120UDP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 595 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 (TO-274AA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 595 Вт Переключаемая энергия: 1.4 мДж
Акция IRGPS40B120UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 595 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 (TO-274AA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 595 Вт Переключаемая энергия: 1.4 мДж
IRGPS60B120KDP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 105 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 (TO-274AA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 105 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 595 Вт Переключаемая энергия: 3.21 мДж
IRGR2B60KDTRRPBF IGBT 600V 6.3A 35W DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 6.3A Импульсный ток коллектора макс.: 8A Макс. рассеиваемая мощность: 35W Переключаемая энергия: 74 µJ (on), 39 µJ (off)
Акция IRGR3B60KD2PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7.8 А, 52 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 7.8 А Импульсный ток коллектора макс.: 15.6 А Макс. рассеиваемая мощность: 52 Вт Переключаемая энергия: 62 мкДж
IRGR3B60KD2TRRP Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7.8 А, 52 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 7.8A Макс. рассеиваемая мощность: 52W
IRGR4045DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 12 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
Акция IRGR4607DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA
IRGR4610DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 16 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
Акция IRGS14C40LPBF Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 14 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430 В Макс. ток коллектора: 20 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
7 шт.
Цена от:
от 473,19
IRGS14C40LTRLP Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 20 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
7 шт.
Цена от:
от 176,36
IRGS30B60KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 78 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 370 Вт Переключаемая энергия: 350 мкДж
Акция IRGS4045DPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 12 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
Акция IRGS4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 48 А Импульсный ток коллектора макс.: 96 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж
IRGS4610DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 16 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"