IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
MMG600WB120B6E4N IGBT Модуль Half Bridge 1200В 600А
Производитель:
MacMic
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
52 шт
Цена от:
от 9 618,15
MMG600WB120B6T6 IGBT Модуль Half Bridge 1200В 600А
Производитель:
MacMic
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
52 шт
Цена от:
от 9 618,15
MMG600WB120B6TC IGBT Модуль Half Bridge 1200В 600А
Производитель:
MacMic
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
52 шт
Цена от:
от 9 618,15
MMG600WB170B IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А
Производитель:
MacMic
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 683 шт
Цена от:
от 8 943,00
MMG600WB170B6E4N IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А
Производитель:
MacMic
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 683 шт
Цена от:
от 8 943,00
MMG600WB170B6EN IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А
Производитель:
MacMic
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 683 шт
Цена от:
от 8 943,00
MMG600WE120B6E4N IGBT Модуль Half Bridge 1200В 600А
Производитель:
MacMic
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
52 шт
Цена от:
от 9 618,15
MWI75-06A7T Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
Module
NGB8202ANT4G NGB8202ANT4G Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 150 Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
D2PAK/TO263
NGB8202ANTF4G NGB8202ANTF4G Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 400В 20A D2PAK
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
D2Pak (TO-263)
NGB8245NT4G NGB8245NT4G Биполярный транзистор IGBT, 490 В, 20 А, 150 Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
D2PAK/TO263
Акция
NGD8201ANT4G NGD8201ANT4G Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
D-Pak (TO-252AA)
Акция
NGD8201ANT4G NGD8201ANT4G Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
375V
Макс. ток коллектора:
20A
Макс. рассеиваемая мощность:
125W
NGD8205ANT4G NGD8205ANT4G Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 20 А, 125 Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
DPAK/TO-252AA
NGTB03N60R2DT4G NGTB03N60R2DT4G Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 49000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
NGTB15N60S1EG NGTB15N60S1EG Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
117 Вт
Переключаемая энергия:
550 мкДж
NGTB25N120FL2WG
Производитель:
ON Semiconductor
NGTB30N120IHSWG NGTB30N120IHSWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
30A
Переключаемая энергия:
1 мДж
NGTB35N65FL2WG NGTB35N65FL2WG Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 70 А, 300 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
300 Вт
Переключаемая энергия:
840 мкДж
NGTB40N120IHRWG NGTB40N120IHRWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 384 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
384W
Переключаемая энергия:
950 мкДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"