IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 263,40
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 258,79
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 102,48
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,03
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 81,86
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
SKM450GB12E4 SKM450GB12E4 Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 700А
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 3 Case A-13
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
700А
SKM600GA176D Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
SKM600GB126D Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
SKM600GB12E4D1 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Акция
SKM75GB063D SKM75GB063D Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
SKM75GB12V SKM75GB12V Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
121А
SKM900GA12E4 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
-6% Акция
SKW25N120FK SKW25N120FK Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
46 А
Импульсный ток коллектора макс.:
84 А
Макс. рассеиваемая мощность:
313 Вт
Переключаемая энергия:
3.7 мДж
SKW30N60 SKW30N60 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
SKW30N60HS SKW30N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
112 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
1.15 мДж
SLIMDIP-S#555 Интеллектуальный модуль IGBT, 450 В, 5 А, 6-PACK, SLIM
Производитель:
Mitsubishi Electric
SPM100GB1201S1
Производитель:
SemiPowereX
Корпус:
34 mm
Акция
STGB10NB37LZ STGB10NB37LZ Биполярный транзистор IGBT, 375 В, 20 А, 125 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
STGB14NC60KDT4 STGB14NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
82 мкДж
STGB15H60DF STGB15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 115 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
STGB20H60DF STGB20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
209 мкДж
STGB20N40LZ STGB20N40LZ Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 25 А, 150 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-263 (DВІPak)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
390 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
150 Вт
Акция
STGB20NB37LZT4 STGB20NB37LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 425 В, 40 А, 200 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
STGB20NC60V STGB20NC60V Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 60A 200Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
STGB20V60DF STGB20V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
200 мкДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"