IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 263,40
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 258,79
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 102,48
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,03
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 81,86
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
STGB30H60DFB STGB30H60DFB Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 60A 260Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
STGB30H60DLLFBAG STGB30H60DLLFBAG Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 60A 260Вт автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
-6% Акция
STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
STGB8NC60KDT4 STGB8NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 8 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 18 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
-6% Акция
STGD14NC60KT4 STGD14NC60KT4 Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
82 мкДж
STGD3HF60HDT4 STGD3HF60HDT4 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 7.5A 38Вт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
7.5A
Импульсный ток коллектора макс.:
18A
Макс. рассеиваемая мощность:
38W
Переключаемая энергия:
19 µJ (on), 12 µJ (off)
STGD5NB120SZ-1 STGD5NB120SZ-1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5 А, 55 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
IPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
10 А
Импульсный ток коллектора макс.:
10 А
Макс. рассеиваемая мощность:
75 Вт
Переключаемая энергия:
2.59 мДж
STGD7NB60ST4 STGD7NB60ST4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 55 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
55 Вт
Переключаемая энергия:
3.5 мДж
STGD7NC60HT4 STGD7NC60HT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 25 А, 70 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
70 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
STGD8NC60KDT4 STGD8NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 62 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
62 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
STGE200NB60S STGE200NB60S Биполярный транзистор IGBT, 600 B, 200 А, 600 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
ISOTOP
Конфигурация:
Однофазный
Напряжение коллектор-эмиттер:
600В
Ток коллектора:
200А
Максимальная мощность:
600 Вт
Входная емкость:
1.56 нФ
Наличие термистора:
нет
-6% Акция
STGF19NC60WD STGF19NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
14 А
Макс. рассеиваемая мощность:
32 Вт
Переключаемая энергия:
81 мкДж
STGF20M65DF2 STGF20M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650V,20A low loss
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220-3
STGF20NB60S STGF20NB60S Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
24 А
Импульсный ток коллектора макс.:
70 А
Макс. рассеиваемая мощность:
40 Вт
Переключаемая энергия:
840 мкДж
STGF7H60DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 14A 24Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ST Microelectronics
STGF7NC60HD STGF7NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 25 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
10 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
25 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
-6% Акция
STGP10NB60S STGP10NB60S Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
29 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
STGP10NB60SD STGP10NB60SD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
29 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
STGP14NC60KD STGP14NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
82 мкДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"