FGA40N65SMD, Транзистор IGBT одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FGA40N65SMD
Производитель:
Описание Eng:
IGBT, 650V, 80A, 175°C, 349W;
В упаковке:
30 шт
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
168,75 ₽
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FGA40N65SMD
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FGA40N65SMD |
| Упаковка / блок | TO-3PN |
| Вес изделия | 6.401 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 349 W |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FGA40N65SMD
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара