Одиночные IGBT транзисторы

131
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (131)
SGT50T65FD1PN SGT50T65FD1PN Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 50A 235Вт
Производитель:
Silan Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Наличие:
461 шт

Внешние склады:
3 292 шт
Цена от:
от 76,41₽
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
422 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 123,86₽
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PN
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Наличие:
300 шт

Внешние склады:
93 шт
Цена от:
от 233,03₽
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Транзистор IGBT, 650В, 50А, 115Вт, TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Наличие:
179 шт

Внешние склады:
132 шт
Цена от:
от 133,56₽
Акция
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
115 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 395,93₽
IKW50N65ES5 IKW50N65ES5 Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) Trenchstop 5 IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Наличие:
86 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 220,98₽
DG75X07T2L DG75X07T2L Биполярный транзистор IGBT, 650В 150А 980Вт
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 677,40₽
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
469 Вт
Переключаемая энергия:
2.1 мДж
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 356,93₽
-5% Акция
STGW30H65FB STGW30H65FB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 260 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
260 Вт
Переключаемая энергия:
151 мкДж
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 202,30₽
Акция
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
49 шт

Внешние склады:
120 шт
Цена от:
от 323,24₽
-5% Акция
STGW20H65FB STGW20H65FB Транзистор биполярный IGBT N-канальный 650В 40A 168Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Наличие:
26 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 256,14₽
IKZA75N65SS5XKSA1 IKZA75N65SS5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650В 75А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247-4L
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Наличие:
16 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1 153,71₽
DG120X07T2 DG120X07T2 TRANS, IGBT, 650V, 240A, TO-247 PLUS;
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 1 013,19₽
AFGHL75T65SQ AFGHL75T65SQ IGBT, 650V, 75A, 175°C, 375W;
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
AFGHL75T65SQDT AFGHL75T65SQDT IGBT, AECQ101, 650V, 80A, 175°C, 375W;
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
AFGY120T65SPD AFGY120T65SPD IGBT, 650V, 120A, 175°C, 714W;
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
AOT20B65M1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 40A 227Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
AOTF10B65M1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 10A TO220
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
BIDW50N65T BIDW50N65T TRANSISTOR, IGBT, 650V/100A/416W/TO-247;
Производитель:
Bourns Inc.
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
DG30X07T2 DG30X07T2 TRANS, IGBT, 650V, 60A, 208W, TO-247;
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"