FGH75T65SQD-F155, Транзистор IGBT одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FGH75T65SQD-F155
Производитель:
Описание Eng:
IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 150A, TO-247-3; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No
В упаковке:
30 шт
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
505,54 ₽
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FGH75T65SQD-F155
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | FGH75T65SQD |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 6.390 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 400 nA |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FGH75T65SQD-F155
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара