STGD4M65DF2, Транзистор IGBT одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STGD4M65DF2
Производитель:
Описание Eng:
IGBT, 650V, 8A, 175°C, 68W;
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
64,99 руб.
Внешние склады
-
112+ 162+ 324+ 1618+79,36 ₽ 68,44 ₽ 66,71 ₽ 64,99 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 112Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STGD4M65DF2
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
|---|---|
| Серия | STGD4M65DF2 |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 68 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 8 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 8 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 uA |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STGD4M65DF2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 137 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара